FACOM M-200のLSI素子（1976年）

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超高速ロジックLSI。FACOM M-200やFACOM M-190に使用されました。1970年代に入ると、メモリ素子の分野では、従来のコアメモリに代わって半導体メモリ（ICメモリ）が登場し、この分野でのLSI化が開始されました。LSIの速度を高めるのは発熱とのたたかいでもありました。加熱すると効率が著しく低下してしまうため、まず熱を制することが実用化の第一歩でした。このLSI素子は、5枚のクーリングフィンを装着させることにより放熱効果を発揮し、高速LSIの実用化を図りました。