FeRAMとは？

FeRAMは、強誘電体薄膜（Ferroelectric film）を記憶素子に使用しています。

当社のFeRAMでは、強誘電体にPZT（チタン酸ジルコン酸鉛）を使用しており、その結晶構造を右図に示します。

格子の中にあるZr（ジルコニウム）またはTi（チタン）イオンは、二つの安定点を持ち、外部の電界によってその位置を変える性質（強誘電性）があります。一度どちらかの安定点に位置すると、電界を取り去っても位置が変わることがありません。つまり、分極状態が記憶されます。

強誘電体薄膜の上下に電極を設けてキャパシタを構成し、電極電圧と分極量をプロットすればヒステリシス（履歴）が得られ、「1」または「0」を記憶できることになります。

その不揮発の性質を利用したのが強誘電体メモリです。

EEPROMやフラッシュメモリは、素子内の記録領域における電荷の有無でデータを記憶しますが、FeRAMは分極の向きでデータを記憶するので、記憶方法が異なります。