小型・低動作電流の不揮発性メモリ

ReRAM

（Resistive Random Access Memory：
抵抗変化型メモリ）

当社ReRAMは、読出し動作では業界最小クラスの低消費電力を実現します。
バッテリー駆動の小型ウェアラブルデバイスや補聴器に最適です。

概要

ReRAM（Resistive Random Access Memory）は抵抗変化型メモリとも呼ばれ、電極に挟まれた金属酸化膜の抵抗値の違いによって、データを記憶する不揮発性メモリです。金属酸化膜に電圧を印加することにより抵抗を変化させ、高抵抗と低抵抗の状態の違いによって、“0”と“1”のデータを記録します。
読出し電流は業界最小クラス。さらに読出し耐性は無制限のため読出しメインのアプリケーションに最適です。