小型・低動作電流の不揮発性メモリ

ReRAM

(Resistive Random Access Memory:
抵抗変化型メモリ)

当社ReRAMは、読出し動作では業界最小クラスの低消費電力を実現します。
バッテリー駆動の小型ウェアラブルデバイスや補聴器に最適です。

概要

ReRAM(Resistive Random Access Memory)は抵抗変化型メモリとも呼ばれ、電極に挟まれた金属酸化膜の抵抗値の違いによって、データを記憶する不揮発性メモリです。金属酸化膜に電圧を印加することにより抵抗を変化させ、高抵抗と低抵抗の状態の違いによって、“0”と“1”のデータを記録します。
読出し電流は業界最小クラス。さらに読出し耐性は無制限のため読出しメインのアプリケーションに最適です。

スマートウォッチ
スマートグラス
補聴器

~ ReRAM アプリケーション紹介事例 ~

製品ラインナップ

型名データシート(PDF)メモリ容量電源電圧動作周波数動作温度範囲読出電流読出回数パッケージ製品情報量産ステータス
MB85AS8MT8Mbit1.6~3.6V10MHz-40~+85℃0.15mA無制限SOP-8, WLCSP-11量産中

※ インターフェースは SPI になります。

お問い合わせ

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