小型・低動作電流の不揮発性メモリ

ReRAM

（Resistive Random Access Memory：
抵抗変化型メモリ）

当社ReRAMは、読出し動作では業界最小クラスの低消費電力を実現します。
バッテリー駆動の小型ウェアラブルデバイスや補聴器に最適です。

プレスリリースの12MビットReRAM「MB85AS12MT」の紹介はこちら

トピックス

[Webコンテンツ]「最大メモリ容量をもつ12MビットReRAM」の製品紹介を追加2022年3月15日

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概要

ReRAM（Resistive Random Access Memory）は抵抗変化型メモリとも呼ばれ、電極に挟まれた金属酸化膜の抵抗値の違いによって、データを記憶する不揮発性メモリです。金属酸化膜に電圧を印加することにより抵抗を変化させ、高抵抗と低抵抗の状態の違いによって、“0”と“1”のデータを記録します。
読出し電流は業界最小クラス。さらに読出し耐性は無制限のため読出しメインのアプリケーションに最適です。

スマートウォッチ

スマートグラス

補聴器

～　ReRAM アプリケーション紹介事例　～

製品ラインナップ

型名	データシート（PDF）	メモリ容量	電源電圧	動作周波数	動作温度範囲	読出電流	読出回数	パッケージ	製品情報	量産ステータス
MB85AS12MT	PDF	12Mbit	1.6～3.6V	10MHz	-40～+85℃	最大 1.0mA	無制限	WLCSP-11	詳細	サンプル提供中
MB85AS8MT	PDF	8Mbit	1.6～3.6V	10MHz	-40～+85℃	最大 0.7mA	無制限	WLCSP-11	詳細	量産中

※ インターフェースは SPI になります。

製品情報

当社はセキュリティ保護の観点からSSL技術を使用しております。

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