FeRAMの特長
4つの特長
不揮発性
- 電源を切ってもデータが消えない
- バッテリーフリー(グリーン化製品)
高速書換え
- データの重ね書きが可能
- 書換えコマンドの発行不要
- 消去時間、書込みの待ち時間が不要
高書換え耐性
- 最大10兆回(1013回)の書換えを保証
- 書換え回数がEEPROMの最大1,000万倍
低消費電力
- 書込みのための内部昇圧不要
- 書込み時の消費電力がEEPROMの1/13以下(2Mビット品、1秒間で2Kビット書込み時)
- データ保持のリテンション電流不要
競合メモリとの比較
他のメモリとの性能比較
FeRAM | EEPROM | FLASH | SRAM | |
---|---|---|---|---|
メモリタイプ | 不揮発性 | 不揮発性 | 不揮発性 | 揮発性 |
書換え方法 | 重ね書き | 消去+書込み | 消去+書込み | 重ね書き |
ライトサイクルタイム | 120ns | 5ms | 10µs | 55ns |
書換え回数 | 100兆回 | 100万回 | 10万回 | 無制限 |
昇圧回路 | 不要 | 必要 | 必要 | 不要 |
データ保持バッテリ | 不要 | 不要 | 不要 | 必要 |
EEPROM, Flashメモリとの比較(シリアルメモリ)
EEPROMやFlashメモリのような既存の不揮発メモリと比較すると、シリアルインタフェースのFeRAMは、高速書換え、高書換え耐性、低消費電力、のメリットがあります。EEPROMやFlashをFeRAMに置き換えることにより、お客様は次の利点があります。
- 搭載製品の性能向上
FeRAMは高速書込みが可能なため、瞬断時のデータバックアップが可能です。また、FeRAMは書換え回数が多いため、装置の状態や履歴を管理する場合でも、EEPROMやFlashメモリよりも頻繁にデータを記録することが可能です。
EEPROMやFlashメモリでは、データ書込み/消去時にメモリ内部で昇圧が必要なため、消費電力が大きくなりますが、FeRAMは昇圧不要なため、低消費電力です。したがって、バッテリー駆動機器のバッテリー長寿命化が可能です。- 瞬断時のバックアップが可能
- 高頻度でのデータ記録が可能
- 低消費電力のため、バッテリーの長寿命化が可能
- トータルコストの削減
製品ごとに出荷時パラメータを書込むような場合では、EEPROMやFlashメモリを使用する場合と比較して、書込み時間の短縮によるスループットの向上によって製造コスト削減につながります。また、EEPROMでは書換え回数が少ないため、複数のメモリ(例:EEPROM+Flashの2チップ構成、EEPROM+SRAM+バッテリの構成、など)でデータを保持していたような場合でも、FeRAMでは1チップで代替可能です。
- 出荷時パラメータの書込み時間削減
- 製品の長寿命化による部品点数の削減
SRAMとの比較(パラレルメモリ)
パラレルインタフェースのFeRAMは、SRAMと互換性があるインタフェースを採用しているため、バッテリーバックアップSRAMとの置き換えが可能です。SRAMをFeRAMに置き換えることにより、以下のようなメリットが期待できます。
- トータルコストの削減
バッテリーバックアップSRAMを用いたシステムでは、電池状態の管理をする必要があります。
SRAMをFeRAMに置き換えることにより、電池をメンテナンスする煩わしさから解放されます。
また、このシステムでは、SRAMと電池以外に電池ソケットや逆流防止ダイオードが必要なため、基板上にもそれに応じた面積が必要ですが、FeRAMは1チップでそれらの代替となるため、FeRAMの使用は装置の小型化にも貢献します。- バッテリー交換が不要なため、メンテナンスフリー
- 部品点数の削減による装置の小型化が可能
- 環境負荷低減
SRAMの場合、外付けの使用済み電池は産業廃棄物となります。FeRAMの使用により不要な電池を削減することができます。
- 電池の廃棄不要
※ EEPROM:Electronically Erasable and Programmable Read-Only Memory
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