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プレスリリース

2020年4月14日
富⼠通セミコンダクターメモリソリューション株式会社

125℃動作を保証する、電源電圧が1.8Vの2MビットFeRAMを開発

～ ADASなどの先端車載市場向けに最適な不揮発性メモリ ～

富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社（注1）は、125℃動作のFeRAM（注2）ファミリーのラインナップに、1.8Vの低電圧で動作する2MビットFeRAM「MB85RS2MLY」を追加しました。本製品は、1.7V～1.95Vの低電源電圧で動作するSPIインターフェースのメモリです。現在、評価サンプルを提供中で、6月に量産品の提供を予定しています。

この新製品は、先進運転支援システム（ADAS）などの先端車載市場において低電圧動作が要求される電子制御ユニットに最適です。

English

FeRAMは、EEPROMやフラッシュメモリと比べて「高書換え耐性」、「高速書込み」、「低消費電力」の特長で優位性をもつ不揮発性メモリです。FeRAMは、従来の不揮発性メモリを超える特性をご要求のお客様に採用されてきました。

当社は2017年以降、125℃動作の車載向けFeRAM製品として、3.3Vまたは5V動作の64Kビット～2Mビットの製品を提供してきました。しかし、先進的な自動車の電子制御ユニットでは低消費電力の電子部品が必要であり、一部のお客様は1.8Vを下回る1.7Vでの動作を要求されていました。その要求に応えるメモリとして、新しく2MビットFeRAMを開発しました。

MB85RS2MLYは、-40℃～+125℃の温度範囲において10兆回のデータ書換えを保証しています。この特性は、リアルタイムなデータ記録を必要とする用途に適しています。例えば、毎日0.1秒毎に10年間データを記録（30億回以上）することも可能です。加えて、本製品の信頼性試験は車載グレードと呼ばれる高品質規格であるAEC-Q100グレード1に準拠しています。したがって、データ書込み回数と信頼性の両方の観点から、本製品はADASのような車の状態を常に検知し記録し続ける用途向けとして最適です。

パッケージは、EEPROMと互換性をもった業界標準の8ピンSOPに加えて、リード無しパッケージとして5.0 x 6.0 x 0.9 mmサイズの8ピンDFN（Dual Flatpack No-leaded package）も提供しています。

図1：MB85RS2MLYの8ピンDFNパッケージ

図2：新製品の用途例（ADAS）

図3：8ピンDFNと8ピンSOPパッケージ

今回、125℃動作のFeRAMファミリーとして2Mビット製品を紹介しましたが、当社は4Mビットのメモリ容量をもつFeRAM製品も開発中です。

富士通セミコンダクターメモリソリューションは、今後ともお客様と市場が要求するメモリ製品とソリューションを提供し続けます。

主な仕様

製品名MB85RS2MLY
容量（メモリ構成）2Mビット（256K x 8ビット）
インターフェースSPI（シリアル・ペリフェラル・インターフェース）
動作周波数50MHz（最大）
動作電源電圧1.7V～1.95V
動作温度範囲-40℃～＋125℃
書込み/読出し保証回数10兆回（1013回）
パッケージ8ピンSOP, 8ピンDFN
品質規格AEC-Q100グレード1準拠

注釈

  • 注1
    富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社：
    本社 神奈川県横浜市、代表取締役社長 曲渕 景昌。
    （2020年3月31日に富士通セミコンダクター株式会社のシステムメモリ事業を分社化）
  • 注2
    FeRAM：
    Ferroelectric Random Access Memory
    強誘電体メモリ。強誘電体膜をデータ保持のキャパシタに利用したメモリ。電源を切っても内容を保持する。データの高速な書込み動作、低消費電力、書換え回数が多いといったROMとRAMの長所をあわせ持つ。当社では、1999年より量産開始。

商標

  • 記載されている製品名などの固有名詞は、各社の商標または登録商標です。

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