125℃動作を保証する、電源電圧が1.8Vの2MビットFeRAMを開発

～ ADASなどの先端車載市場向けに最適な不揮発性メモリ ～

概要

富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社は、125℃動作のFeRAMファミリーのラインナップに、1.8Vの低電圧で動作する2MビットFeRAM「MB85RS2MLY」を追加しました。本製品は、1.7V～1.95Vの低電源電圧で動作するSPIインターフェースのメモリです。現在、量産品を提供中です。この新製品は、先進運転支援システム（ADAS）などの先端車載市場において低電圧動作が要求される電子制御ユニットに最適です。

図1：MB85RS2MLYの8ピンDFNパッケージ

図2：新製品の用途例（ADAS）

図3：8ピンDFNと8ピンSOPパッケージ

詳細

FeRAMは、EEPROMやフラッシュメモリと比べて「高書換え耐性」、「高速書込み」、「低消費電力」の特長で優位性をもつ不揮発性メモリです。FeRAMは、従来の不揮発性メモリを超える特性をご要求のお客様に採用されてきました。

当社は2017年以降、125℃動作の車載向けFeRAM製品として、3.3Vまたは5V動作の64Kビット～2Mビットの製品を提供してきました。しかし、先進的な自動車の電子制御ユニットでは低消費電力の電子部品が必要であり、一部のお客様は1.8Vを下回る1.7Vでの動作を要求されていました。その要求に応えるメモリとして、新しく2MビットFeRAMを開発しました。

MB85RS2MLYは、-40℃～+125℃の温度範囲において10兆回のデータ書換えを保証しています。この特性は、リアルタイムなデータ記録を必要とする用途に適しています。例えば、毎日0.1秒毎に10年間データを記録（30億回以上）することも可能です。加えて、本製品の信頼性試験は車載グレードと呼ばれる高品質規格であるAEC-Q100グレード1に準拠しています。したがって、データ書込み回数と信頼性の両方の観点から、本製品はADASのような車の状態を常に検知し記録し続ける用途向けとして最適です。

パッケージは、EEPROMと互換性をもった業界標準の8ピンSOPに加えて、リード無しパッケージとして5.0 x 6.0 x 0.9 mmサイズの8ピンDFN（Dual Flatpack No-leaded package）も提供しています。

今回、125℃動作のFeRAMファミリーとして2Mビット製品を紹介しましたが、当社は4Mビットのメモリ容量をもつFeRAM製品も開発中です。
富士通セミコンダクターメモリソリューションは、今後ともお客様と市場が要求するメモリ製品とソリューションを提供し続けます。

主な仕様

データシート

• 2MビットFeRAM「MB85RS2MLY」（車載向け）