プレスリリース

2021年7月6日
富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社

車載グレードに準拠した125℃動作の4MビットFRAM、量産を開始

~ 高温環境下での信頼性を保証する車載向け、産業機械向けの不揮発性メモリ ~

富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社注1は、125℃動作の4MビットFRAM注2「MB85RS4MTY」 の量産品提供を、今月から開始しました(図1)。

本製品は、車載グレードと呼ばれる高品質規格AEC-Q100グレード1に準拠しており、高信頼性が要求される車載向けの先進運転支援システム(ADAS)や高性能産業用ロボットに最適なメモリです(図2)。

English

FRAMは、「高書換え耐性(書換え保証回数が多い)」、「高速書込み」、「低消費電力」の3つの特長で優位性をもつ不揮発性メモリで、これまでに20年以上の量産実績があります。

当社は2017年7月に最初の125℃動作FRAMの量産を開始して以来、その製品ファミリーを拡大しています(図3)。 今回、その中でも最大メモリ容量となる4Mビット品「MB85RS4MTY」の量産を開始しました。

本製品は、1.8V~3.6Vのワイドレンジ電源電圧で動作する、SPIインターフェースのFRAMです。高温環境においても10兆回のデータ書換え回数および50MHz動作時でも4mA以下の書込み電流という低消費電力を保証しています。パッケージは、リード無し8ピンDFN(Dual Flatpack No-leaded package)にて提供します。

「MB85RS4MTY」は、車載グレードと呼ばれる高品質規格AEC-Q100グレード1を満たすための高信頼性評価をクリアした製品です。したがって、高い信頼性が要求される車載向けの先進運転支援システム(ADAS)や高性能産業用ロボットへの使用が可能な不揮発性メモリです。

図1:MB85RS4MTYのパッケージ

図2:用途例(車載、産業機械)

図3:125℃動作FRAMのラインナップ

現在、EEPROMや低消費電力SRAMをご使用中のお客様が次のような課題をお持ちの場合には、当社のFRAMによって解決できる場合があります(図4)。

お客様の課題と解決案

  1. 現状:EEPROMをご使用の場合
    課題:データをもっと頻繁に記録したいが、最大100万回の書換え制限があるため難しい
    解決案:10兆回の書換えを保証するFRAMを使用
  2. 現状:EEPROMをご使用の場合
    課題:事故や停電のときに、書込み中のデータを保護する対策が必要
    解決案:高速書込みにより、停電が起きてもデータ書換えが完了できるFRAMを使用
  3. 現状:SRAMをご使用の場合
    課題:メンテナンスが面倒なSRAM用のバッテリーを無くしたい
    解決案:不揮発性のFRAMを使用

つまり、FRAMへの置き換えによって、開発負担の低減、製品の高性能化、コストの削減などのメリットを期待することができます(図4)。

図4:お客様の課題と解決案

当社は、今後もお客様が要求するメモリ製品の開発を続けていきます。

主な仕様

製品名MB85RS4MTY
容量(メモリ構成)4Mビット(512K x 8ビット)
インターフェースSPI(シリアル・ペリフェラル・インターフェース)
動作周波数50MHz(最大)
動作電源電圧1.8V~3.6V
動作温度範囲-40℃~+125℃
書込み/読出し保証回数10兆回(1013回)
パッケージ8ピンDFN
品質規格AEC-Q100 グレード1準拠

注釈

  • 注1
    富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社:
    本社 神奈川県横浜市、代表取締役社長 曲渕 景昌。
  • 注2
    FRAM:
    Ferroelectric Random Access Memory
    強誘電体メモリ。強誘電体膜をデータ保持のキャパシタに利用したメモリ。電源を切っても内容を保持する。データの高速な書込み動作、低消費電力、書換え回数が多いといったROMとRAMの長所をあわせ持つ。FeRAMとも呼ばれる。当社では、1999年より量産開始。

商標

  • 記載されている製品名などの固有名詞は、各社の商標または登録商標です。

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