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プレスリリース

2021年7月6日
富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社

車載グレードに準拠した125℃動作の4MビットFeRAM、量産を開始

～ 高温環境下での信頼性を保証する車載向け、産業機械向けの不揮発性メモリ ～

富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社（注1）は、125℃動作の4MビットFeRAM（注2）「MB85RS4MTY」　の量産品提供を、今月から開始しました（図1）。

本製品は、車載グレードと呼ばれる高品質規格AEC-Q100グレード1に準拠しており、高信頼性が要求される車載向けの先進運転支援システム（ADAS）や高性能産業用ロボットに最適なメモリです（図2）。

English

FeRAMは、「高書換え耐性（書換え保証回数が多い）」、「高速書込み」、「低消費電力」の3つの特長で優位性をもつ不揮発性メモリで、これまでに20年以上の量産実績があります。

当社は2017年7月に最初の125℃動作FeRAMの量産を開始して以来、その製品ファミリーを拡大しています（図3）。 今回、その中でも最大メモリ容量となる4Mビット品「MB85RS4MTY」の量産を開始しました。

本製品は、1.8V～3.6Vのワイドレンジ電源電圧で動作する、SPIインターフェースのFeRAMです。高温環境においても10兆回のデータ書換え回数および50MHz動作時でも4mA以下の書込み電流という低消費電力を保証しています。パッケージは、リード無し8ピンDFN（Dual Flatpack No-leaded package）にて提供します。

「MB85RS4MTY」は、車載グレードと呼ばれる高品質規格AEC-Q100グレード1を満たすための高信頼性評価をクリアした製品です。したがって、高い信頼性が要求される車載向けの先進運転支援システム（ADAS）や高性能産業用ロボットへの使用が可能な不揮発性メモリです。

図1：MB85RS4MTYのパッケージ

図2：用途例（車載、産業機械）

図3：125℃動作FeRAMのラインナップ

現在、EEPROMや低消費電力SRAMをご使用中のお客様が次のような課題をお持ちの場合には、当社のFeRAMによって解決できる場合があります（図4）。

お客様の課題と解決案

  1. 現状：EEPROMをご使用の場合
    課題：データをもっと頻繁に記録したいが、最大100万回の書換え制限があるため難しい
    解決案：10兆回の書換えを保証するFeRAMを使用
  2. 現状：EEPROMをご使用の場合
    課題：事故や停電のときに、書込み中のデータを保護する対策が必要
    解決案：高速書込みにより、停電が起きてもデータ書換えが完了できるFeRAMを使用
  3. 現状：SRAMをご使用の場合
    課題：メンテナンスが面倒なSRAM用のバッテリーを無くしたい
    解決案：不揮発性のFeRAMを使用

つまり、FeRAMへの置き換えによって、開発負担の低減、製品の高性能化、コストの削減などのメリットを期待することができます（図4）。

図4：お客様の課題と解決案

当社は、今後もお客様が要求するメモリ製品の開発を続けていきます。

主な仕様

製品名MB85RS4MTY
容量（メモリ構成）4Mビット（512K x 8ビット）
インターフェースSPI（シリアル・ペリフェラル・インターフェース）
動作周波数50MHz（最大）
動作電源電圧1.8V～3.6V
動作温度範囲-40℃～＋125℃
書込み/読出し保証回数10兆回（1013回）
パッケージ8ピンDFN
品質規格AEC-Q100 グレード1準拠

注釈

  • 注1
    富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社：
    本社 神奈川県横浜市、代表取締役社長 曲渕 景昌。
  • 注2
    FeRAM：
    Ferroelectric Random Access Memory
    強誘電体メモリ。強誘電体膜をデータ保持のキャパシタに利用したメモリ。電源を切っても内容を保持する。データの高速な書込み動作、低消費電力、書換え回数が多いといったROMとRAMの長所をあわせ持つ。当社では、1999年より量産開始。

商標

  • 記載されている製品名などの固有名詞は、各社の商標または登録商標です。

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