64-Kbit DRAM (2-power supply type)(1978)

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• 半导体

1978 年，富士通成为世界上第一个成功商业化生产 64 Kbit/1 芯片的随机存取存储器 (RAM) 产品的公司。 它的操作功能和特性与当时市场上标准的16-Kbit内存产品基本相同，但集成度是其4倍。 它采用16针DIP格式封装，旨在轻松取代16-Kbit存储器，并且是世界上第一个可以批量生产的。 随着存储器集成度的提高，它对于电子设备的小型化和提高可靠性具有非常重要的价值。
访问时间：110 纳秒，循环时间：300 纳秒
功耗：工作时250mw，待机时10mw
电源电压：+7V、-2V