1-Mbit DRAM(1985)

  • 元器件
  • 半导体

1-Mbit 动态 RAM 于 1985 年成功开发,采用新型存储单元结构。通过将存储单元面积减少到原来的 1/3 左右,最大限度地减少了面积的增加 它采用了与传统芯片不同的独创芯片布局,使其可以安装在与 256K 内存几乎相同尺寸的塑料封装中。 新开发的存储单元对软件错误的抵抗力也很强,因此它们不仅可以应用于1-Mbit DRAM产品,甚至可以应用于高密度DRAM。
访问时间:90纳秒(TRAC)、45纳秒(TCAC)
功耗:工作时 350 mw,待机时 15 mw
电源电压:5V

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