1-Mbit DRAM(1985)

• 元器件
• 半导体

1-Mbit 动态 RAM 于 1985 年成功开发，采用新型存储单元结构。通过将存储单元面积减少到原来的 1/3 左右，最大限度地减少了面积的增加 它采用了与传统芯片不同的独创芯片布局，使其可以安装在与 256K 内存几乎相同尺寸的塑料封装中。 新开发的存储单元对软件错误的抵抗力也很强，因此它们不仅可以应用于1-Mbit DRAM产品，甚至可以应用于高密度DRAM。
访问时间：90纳秒（TRAC）、45纳秒（TCAC）
功耗：工作时 350 mw，待机时 15 mw
电源电压：5V