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Fujitsu

Japan

Poynting for Microwave 解析事例
2層型電波吸収体の反射係数解析

解析モデル

二次元構造モデル

  • 解析領域:120 x 6 x 300 [mm]
  • 終端境界条件
    • ±X, ±Y方向=周期境界条件
    • +Z方向=吸収境界条件、-Z方向=完全導体
  • 励振条件:周波数=10GHz、TE波、入射角θ=0~60°
  • 2層型電波吸収材
    • 1層目:厚さ=10.79mm、ε=1.15-j0.42
    • 2層目:厚さ=7.20mm、ε=3.0-j2.0

解析結果

電界アニメーション

入射角θ=0°

入射角θ=20°

入射角θ=33°

反射係数


※参考文献:「電波吸収体入門」、p.39、橋本 修 著、森北出版

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