FeRAM内置RFID用LSI

富士通开发和生产了两个RFID用LSI系列。一个系列是在HF (高频：13.56MHz) 下工作的产品，另一个系列是在UHF (超高频：860至960MHz) 下工作的产品。

特长

• 高速数据写入性能：内置FeRAM的高速性能提高了写入操作的效率。
• 稳定的通信距离：低功耗写入可在写入和读取操作中实现相同的通信距离。相反，内置EEPROM的标签在写入操作时会消耗大量功率，从而使通信距离变短。
• 内置大容量存储器：高速写入功能可在标签上实现大容量存储器。但是内置EEPROM的标签的速度不足以搭载大容量存储单元。
• 高读写耐久性：最大保证10万亿周期的读/写操作。该功能使标签的长期使用或重复使用成为可能。
• 符合国际标准：我们的RFID用LSI产品符合ISO15693，ISO18000-3、6。

内置FeRAM的RF标签的高速性能

• 在标签本身上记录历史记录和质量检查信息
• 在不打开包装的情况下更改标签中的参数
• 通过提高读写操作效率来降低运行成本

标签写入速度的比较

如果对FeRAM有疑问，请参阅FeRAM的常见问题 (FAQ)。
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