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京都賞受賞

 株式会社富士通研究所の名誉フェロー 三村 髙志(みむら たかし)は、公益財団法人 稲盛財団が主催する第33回「京都賞」(先端技術部門)を受賞しました。
 「京都賞」は、科学や文明の発展、また人類の精神的深化・高揚に著しく貢献した方々を讃える国際賞です。毎年、先端技術部門、基礎科学部門、思想・芸術部門の各部門に1賞、計3賞が贈られます。
 このたびの受賞は、先端技術部門のエレクトロニクス分野において、「高電子移動度トランジスタ(High Electron Mobility Transistor 以下、HEMT)の発明とその開発による情報通信技術の発展へ貢献」したことによるものです。

授賞者 三村 髙志
受賞者 三村 髙志【写真提供:稲盛財団】



【京都賞の授賞式】
授賞式は、11月10日(金曜日)に国立京都国際会館で行われました。

≪受賞者≫
三村 髙志(株式会社富士通研究所 名誉フェロー / 情報通信研究機構 未来ICT研究所 統括特別研究員)

≪業績≫
 三村 髙志は、1979年から1980年にかけ、新構造トランジスタであるHEMTを発明し、その動作の実証に世界で初めて成功しました。HEMTは、高周波特性に優れるため、以後、衛星放送用受信機、携帯電話や携帯電話の基地局、GPS用受信機、自動車の衝突防止用のミリ波レーダーなど、情報通信社会を支える超高速素子として広く使われ、高速・低雑音性能に優れた素子としてマイクロ波・ミリ波領域の各種装置で必須部品となっています。また、HEMTは電波望遠鏡にも活用され、未知の星間分子を発見するなど基礎科学の進展にも大きく貢献しています。

受賞式の様子2
授賞式の様子【写真提供:稲盛財団】



京都賞メダル2 ディプロマ
京都賞メダルとディプロマ【写真提供:稲盛財団】
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