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春の科学技術関係褒章で紫綬褒章を受章

内閣府が主催する「春の科学技術関係褒章」で富士通グループ社員が紫綬褒章を受章しました。発令は昭和の日の4月29日付で行われました。そして、伝達式が5月15日に如水会館で 行われて、その後、皇居での拝謁が行われました。

【紫綬褒章の概要】
科学技術に関する紫綬褒章は、科学技術上優れた発明または研究を行い、その功績が顕著な功労者を対象として授与される国家褒章です。

≪受章者≫
惠下 隆(富士通セミコンダクター㈱ システムメモリ事業部 専任部長)
≪業績≫
1990年代情報通信技術の発達により普及したスマートカードなどには、書換え回数が多く、書換え速度が速く、かつ低消費電力の不揮発性メモリが求められていま したが、当時普及していたフラッシュメモリはこの要求を満たせませんでした。強誘電体を用いた不揮発性メモリFRAMは、この要求を満たすため、日米韓の多くの 企業が実用化を試みましたが、従来の半導体プロセスの中で強誘電体が劣化するため、多くの場合実用化できませんでした。そこで、恵下のグループにおいて、劣 化原因が半導体プロセスで発生する水素による強誘電体の還元であることを定量的に明らかにしました。また、水素を通しにくい保護膜で強誘電体キャパシタを覆 う劣化抑制技術を開発し、世界に先駆けてFRAMの量産化に成功しました。さらに強誘電体結晶の改善などによってFRAMの低電圧化および高集積化を実現し、FRAMを スマートカードに搭載可能にしました。本FRAMは、高いセキュリティ性を必要とするスマートカードや純正品か否かを判定する認証デバイスなどに幅広く利用され ています。これにより、インターネットなどによる商取引のセキュリティ性を大幅に向上させるなど、社会インフラの安心・安全に貢献しています。

伝達式会場
褒状
褒章および略綬
GTM-NPL52N