什么是FeRAM？
概述
FeRAM (铁电RAM) 是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。 与传统的非易失性存储器 (如EEPROM，闪存) 相比，FeRAM不需要备用电池来保留数据，并且具有更高的读/写耐久性，更快的写入速度操作和更低的功耗。富士通FeRAM器件从开始交付给工业市场已超过21年。 因此，富士通FeRAM是具有成熟量产制造经验的高性能和高度可靠的存储器。
FeRAM的结构
我们在FeRAM中使用PZT (锆钛酸铅) 作为铁电材料。PZT的结晶结构如右图所示。
锆 (Zr) 或钛 (Ti) 正离子在晶格中占据两个稳定位置，并且可以通过施加外部电场在两个位置之间移动。由于两个稳定位置都偏离电荷中心，因此在铁电材料中会出现两个相反方向的极化，图中向上或向下。即使去除了电场，也可以存储向上或向下极化，如果施加相反的电场，则可以在彼此之间切换。
铁电膜的上下设置有电极，构成电容器，标示出电极电压及极化量时，能够实现磁滞 (过程) ，从而能够记忆“1”或者“0”。铁电存储器就是利用了这种非易失性。
虽然EEPROM或闪存也会根据元件内的存储区域是否有电荷来记忆数据，但FeRAM是根据极化的方向来记忆数据的，所以两者具有不同的记忆方式。
PZT结晶结构
PZT结晶的滞后特性
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