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富士通電子推出能於攝氏125度高溫下正常運作的4Mbit FRAM
適用於在高溫環境中仍需提供高可靠度並持續運作的汽車與工業機器人應用的最佳非揮發性記憶體
富士通電子亞太有限公司
香港商富士通亞太電子有限公司台灣分公司 (以下稱富士通) 今日宣布，推出型號為MB85RS4MTY的4Mbit FRAM， 是能夠在125℃ 下運作的FRAM產品中擁有最大容量的記憶體。其評測樣品 (evaluation sample) 現已開始供應。
這款全新FRAM是非揮發性記憶體產品，在125℃高溫環境下可以達到10兆次讀/寫次數，工作電流低，是工業機器人和高級駕駛輔助系統（ADAS）等汽車應用的最佳選擇。
富士通在過去約20年量產各種FRAM非揮發性記憶體產品，具備比EEPROM及快閃記憶體更高的讀∕寫耐用度、更快的寫入速度及更低的功耗。近幾年來，這些產品被廣泛應用於穿戴裝置、工業機器人與無人載具。
自去年發佈以來，2Mbit FRAM MB85RS2MTY已在汽車和工業設備中獲得廣泛應用，而MB85RS4MTY將其容量提高了一倍，達到4M bit，滿足更高容量的需求，配有SPI介面，工作電壓為1.8V至3.6V。由於這款FRAM工作電流低，即使在125℃高溫下，最大工作電流僅為4mA（運作頻率50MHz），最大關機(deep power down)電流為30µA，因此有助於降低環境意識產品的功耗。
這款全新FRAM在-40℃至+ 125℃溫度範圍內可以達到10兆次讀/寫次數，適合某些需要即時資料記錄的應用。例如，每0.03毫秒重寫一次數據，同一地址連續記錄數據可達10年之久。
這款FRAM產品採用業界標準8-pin SOP封裝，可輕鬆取代現有類似引脚的EEPROM。此外，還提供8-pin DFN（Dual Flatpack Non-leaded）封裝。
圖1:MB85RS4MTY 8-pin DFN（頂部・底部）
圖2:FRAM應用實例
富士通電子將繼續提供記憶體產品和解決方案，滿足市場和客戶的未來需求。
主要規格
- 零件型號：MB85RS4MT
- 容量（組態）：4 Mbit（512K x 8位元）
- 介面： SPI（Serial Peripheral Interface）
- 運作頻率：最高50 MHz
- 運作電壓：1.8V - 3.6V
- 運作溫度範圍：-40°C - +125°C
- 讀/寫耐久性：10兆次（1013次）
- 封裝規格：8-pin DFN，8-pin SOP
詞彙與備註
註一：鐵電隨機存取記憶體 (FRAM)
FRAM是一種採用鐵電質薄膜作為電容器以儲存資料的記憶體，即便在沒有電源的情況下仍可保存資料。FRAM結合了ROM和RAM的特性，並擁有高速寫入資料、低功耗和高速讀∕寫週期的優點。富士通自1999年即開始生產FRAM，亦稱為FeRAM。
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關於香港商富士通亞太電子有限公司台灣分公司
(FUJITSU ELECTRONICS PACIFIC ASIA LTD, TAIWAN BRANCH)
香港商富士通亞太電子有限公司台灣分公司為富士通電子事業體系之一員，主要負責富士通電子在台灣市場半導體的銷售業務，提供廣泛且多元化的產品系列與配套解決方案。主要銷售產品包括：Customized SoC (ASIC)、代工服務、特定應用標準產品（ASSP）、鐵電記憶體、繼電器、GaN（氮化鎵）、MCU和電源功率器件等，以獨立産品及配套解决方案的形式提供給客戶，並廣泛應用於高效能光通訊網絡設備、終端行動裝置、影像設備、汽車、工業控制、家電、穿戴式設備、醫療電子、電力電錶、安防等領域。有關詳細公司資訊，請瀏覽 http://www.fujitsu.com/tw/fep/ 網站。
楊翠娥
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Company:富士通電子亞太有限公司
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Press Release ID: 2020-07-24
Date: 2020-07-24
City: 台北
Company:
香港商富士通亞太電子有限公司台灣分公司
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