よくあるご質問(FAQ)
お客様からよくいただくご質問と回答を掲載しております。
- システムメモリ製品(FeRAM、ReRAM)のフル型格を明記のうえ、お問い合わせフォームからお問い合わせください。
- 上記以外の製品につきましては、他社製品となりますので以下のサイトから問い合わせをお願いします。
- カスタムSoC(ASIC)、ASSP(特定用途向けIC)
- マイコン、アナログ製品
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- 上記以外の製品につきましては、他社製品となりますので以下のサイトから問い合わせをお願いします。
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- マイコン、アナログ製品
- ICの捺印から調べることができます。詳細についてお知りになりたい場合は、お問い合わせフォームからお問い合わせください。
- 上記以外の製品につきましては、他社製品となりますので以下のサイトから問い合わせをお願いします。
- カスタムSoC(ASIC)、ASSP(特定用途向けIC)
- マイコン、アナログ製品
- 当社では、半導体製品に関して、2000年10月より、鉛フリーパッケージ対応製品の生産を開始しています。現在、全体の80%を越える製品について鉛フリーパッケージを適用済みです。
- お問い合わせフォームより型格を明記のうえ、お問い合わせください。
- 上記以外の製品につきましては、他社製品となりますので以下のサイトから問い合わせをお願いします。
- カスタムSoC(ASIC)、ASSP(特定用途向けIC)
- マイコン、アナログ製品
- 鉛フリーパッケージ対応製品については、従来製品の型格の末尾に「E1」を付与することで識別しています。
また、基本的に、梱包仕様や捺印仕様にも“E1”の2文字を付けていますので、現品(お手元にある製品)をみて鉛フリーパッケージ対応製品か否かを識別することができます。鉛フリー捺印製品表示ラベル(ラミネート袋・内装箱へ貼付)
- 鉛フリーパッケージ対応製品については、従来製品の型格の末尾に「E1」を付与することで識別しています。
製品一般
- FeRAMは、「Ferroelectric Random Access Memory」の略で、データを記憶する材料に強誘電体を使用した不揮発性メモリです。 ROMとRAMの両方の性質を併せ持ち、高速書込み・高書換え耐性(多書換え回数保証)・低消費電力の特長があります。
FeRAMの詳細な説明については、当社 FeRAMウェブサイトをご覧ください。
- FeRAMは、「Ferroelectric Random Access Memory」の略で、データを記憶する材料に強誘電体を使用した不揮発性メモリです。 ROMとRAMの両方の性質を併せ持ち、高速書込み・高書換え耐性(多書換え回数保証)・低消費電力の特長があります。
- 当社のFeRAMは1999年から量産品を供給しており、豊富な量産実績があります。 当時から今日まで、継続的にお客様に採用されています。
- メモリサイズが中小容量で、頻繁なデータの書込みが必要な用途に採用されています。 例えば、OA機器(MFPのカウンタ、印刷記録)、FA機器(計測装置や分析装置のパラメータやデータログ)、金融端末(取引履歴)、インフラの計測機器(電力メータ)、カーナビやオーディオ(電源オフ直前のレジュームデータ)があります。 その他の用途は、当社 FeRAMウェブサイトをご覧ください。
- 使い方は難しくありません。 シリアルインタフェース製品は、従来のシリアルEEPROMやシリアルフラッシュメモリと使い方は同等です。 また、パラレルインタフェース製品は、中速SRAM(疑似SRAMやバッテリバックアップSRAM)と使い方は同等です。
- はい、すべて強誘電体メモリの「Ferroelectric Random Access Memory」のことを指しています。
- FeRAMウェブサイトの サンプルのWeb販売、営業拠点、または、お問い合せのリンク先経由で入手できます。
- はい、あります。 FeRAMカタログは、こちらのカタログサイトから入手できます。 また、データシートは、こちらのデータシートサイトからダウンロードできます。 さらに詳細な説明資料もありますので、当社営業部門またはFeRAMウェブサイトの 問い合わせフォーム経由でご請求ください。
- はい。 当社営業部門または、FeRAMウェブサイトの 問い合わせフォーム経由でお問い合わせください。
- 他にも数社、国内外にサプライヤがいます。
競合製品との比較
SRAMとの比較
- 一部の品種は完全互換ではありませんが、パラレル品のFeRAMはSRAMインタフェースですので、置き換えのソリューションを提案することができます。実際に、データ保持のバッテリを無くしたいお客様に対して、FeRAMへの代替ソリューションを採用いただいた例があります。当社営業部門またはFeRAMウェブサイトの 問い合わせフォーム経由でお問い合わせください。
EEPROM、フラッシュメモリとの比較
- 価格の詳細については、当社営業部門またはFeRAMウェブサイトの 問い合わせフォーム経由でお問い合わせください。
- はい。FeRAMの8ピンSOPはEEPROMとパッケージ互換ですので、実装基板の配線やフットプリントの変更無しで置き換え可能です。FeRAMの使用をご検討の場合は、当社営業部門またはFeRAMウェブサイトの 問い合わせフォーム経由でお問い合わせください。
- 書換回数が1013回(10の13乗回)あるFeRAMではウェアレベリングが必要ありませんので、お客様の使用用途によっては大容量NANDフラッシュを中低容量のFeRAMで置き換え可能な場合があります。FeRAMの使用をご検討の場合は、当社営業部門またはFeRAMウェブサイトの 問い合わせフォーム経由でお問い合わせください。
- 代表的な製品群で言うと、FeRAMの書込み速度は150nsなのに対して、EEPROMは10ms、フラッシュメモリは10usです。すなわち、FeRAMはEEPROMの約7万倍の速さです。その理由は、EEPROMやフラッシュメモリでは、書込みを実行する前に、バイト消去やセクター消去など時間がかかる「消去」動作が必要なためです。FeRAMは消去不要で、SRAMのように重ね書きができるため書込み速度が速いのです。
- 当社のFeRAMでは、シリアルバスのインタフェース(I2CとSPI)を持つメモリをシリアルメモリと呼んでいます。シリアルバスとは、データの入出力を1ビットずつ連続的に行う通信方式です。
I2Cインタフェースは、アドレスおよびデータを制御する「SDA」とクロックを制御する「SCL」の2本の信号線のみで制御するインタフェースです。一方で、SPIは、クロック「SCK」、アドレスやデータの入力「SI」、データの出力「SO」、チップセレクト「CS」の4本の信号線で制御するインタフェースです。
- 当社のFeRAMでは、シリアルバスのインタフェース(I2CとSPI)を持つメモリをシリアルメモリと呼んでいます。シリアルバスとは、データの入出力を1ビットずつ連続的に行う通信方式です。
その他のメモリ
- ReRAMは読出し電流が低いことから、頻繁にプログラムを読み出す用途に最適です。弊社では、補聴器やウェアラブルデバイスをターゲットアプリに提案しています。MRAMは書込みスピードが高速なメモリです。ただし、書込み電力が高いため発熱しやすく、 さらに磁場の影響を受けやすいため、産業用途での使用は注意が必要です。NVRAMは、電源断時のデータ保証のために外付けのキャパシタやバッテリーが別途必要になります。FeRAMよりBOMコストが上がる場合があります。
- CNT(カーボンナノチューブ)を使った不揮発性メモリです。詳細は プレスリリースをご参照お願いします。
製品の特性 / 仕様 / サポート
書換え保証
- チップ全体での10兆回ではなく、バイト毎の10兆回保証です。例えば、異なるアドレスを読み書きする場合は、それぞれ独立したアドレス毎に10兆回のアクセスを保証できます。
- いいえ、無限大ではありません。書込みと読出しの合計が最大書換え保証値になります。
- FeRAMは読出し動作時に読み出したデータを自動的に再度書き込みますので、書き込み回数がカウントされます。
データリテンション
- データリテンションの期間は、お客様の使用温度によっても変わります。当社のシリアルインターフェース品は、常に85℃固定で使用した場合に書込みデータを10年間保証します、という規定です。例えば、お客様の使用環境が25℃や60℃など、85℃を下回る温度で使われる場合は10年間以上のデータ保持が計算上可能ですので、詳しくは各製品のデータシートをご確認願います。
その他
- FeRAMは強誘電体を用いたメモリです。物質は外部の磁界によって多少影響を受けますが、大きく影響するのはFe, Co, Ni, Crなどの強磁性体や反強磁性体などです。FeRAMはこのような物質を使っていませんので、原理的には外部の磁界の影響は受けません。一方で、FeRAM以外で磁性を利用したメモリが市販されていますが、それらのメモリは外部の磁場から強く影響を受けるようです。
Ferroelectricの "ferro-" はもともと鉄(Fe)を意味していましたが、強磁性(ferromagnetism)からの類推として名づけられたもので、通常では磁性とは関係がありません。
- FeRAMは強誘電体を用いたメモリです。物質は外部の磁界によって多少影響を受けますが、大きく影響するのはFe, Co, Ni, Crなどの強磁性体や反強磁性体などです。FeRAMはこのような物質を使っていませんので、原理的には外部の磁界の影響は受けません。一方で、FeRAM以外で磁性を利用したメモリが市販されていますが、それらのメモリは外部の磁場から強く影響を受けるようです。
- ご要望の際は、当社営業部門またはFeRAMウェブサイトの 問い合わせフォーム経由でお問い合わせください。
- FeRAM専用のコントローラや専用のマイコンを使わなければいけない、ということはありません。汎用メモリを使う場合と同様に、汎用のコントローラやマイコンでも使用できます。
- SPIインターフェースのFeRAMとEEPROMにおいて、256Byteの書込み電力の比較では、 FeRAMはEEPROMの約30分の1の電力になります。
- 対応しています。詳細については、「製品の環境対応」サイトをご確認ください。EU RoHSおよび中国RoHSへの対応を紹介しています。
- 抵触しません。鉛(Pb)の含有量は1,000ppm以下ですので、RoHS指令に適合しています。
- シリアル品では、ほとんどの製品でSOPパッケージを揃えています。さらに、ウェアラブルデバイス用に小型パッケージを要求するお客様向けに、SONまたはWL-CSPなど約3mm×2mmサイズの超小型パッケージの製品も提供中です。
パラレル品では、256Kビット品はSOPがありますが、製品によってFBGA,TSOPも揃えています。パッケージについてのご質問は、当社営業部門またはFeRAMウェブサイトの 問い合わせフォーム経由でお問い合わせください。
- シリアル品では、ほとんどの製品でSOPパッケージを揃えています。さらに、ウェアラブルデバイス用に小型パッケージを要求するお客様向けに、SONまたはWL-CSPなど約3mm×2mmサイズの超小型パッケージの製品も提供中です。
- ご要望の際は、当社営業部門またはFeRAMウェブサイトの 問い合わせフォーム経由でお問い合わせください。
製品一般
- ReRAM(Resistive Random Access Memory)は抵抗変化型メモリとも呼ばれ、電極に挟まれた金属酸化膜の抵抗値の違いによって、データを記憶する不揮発性メモリです。
金属酸化膜に電圧を印加することにより抵抗を変化させ、高抵抗と低抵抗の状態の違いによって、“0”と“1”のデータを記録します。
読出し電流が業界最小クラスであり、さらに読出し耐性は無制限のため、読出しメインのアプリケーションに最適な不揮発性メモリです。
- ReRAM(Resistive Random Access Memory)は抵抗変化型メモリとも呼ばれ、電極に挟まれた金属酸化膜の抵抗値の違いによって、データを記憶する不揮発性メモリです。
- 読出し電流が0.2mAとかなり低いことから、頻繁にプログラムを読みだす用途に最適です。補聴器などはその一つです。状況に合わせて音量を調整することが必要であり、メモリに格納された調整用プログラムが頻繁に読出しされています。
- パッケージはEEPROMなど他の不揮発性メモリ製品とピン互換のSOP-8です。
また、インターフェースはSPIです。SPI通信規格に従いプログラムをするだけで簡単にご使用いただけます。
- パッケージはEEPROMなど他の不揮発性メモリ製品とピン互換のSOP-8です。
- はい。当社営業部門または、ReRAMウェブサイトの 問い合わせフォーム経由でお問い合わせください。
- 製品は、ReRAMの試作およびReRAM搭載マイコンで量産品の製造実績が5年以上あるヌヴォトン テクノロジージャパン株式会社(旧パナソニック セミコンダクターソリューションズ株式会社)に製造委託をしています。
- はい。当社営業部門または、ReRAMウェブサイトの 問い合わせフォーム経由でお問い合わせください。