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可變電阻式隨機存取記憶體(ReRAM)

 
 

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Resistive Random Access Memory ReRAM. With the industry's lowest read current. Optimal for wearable devices and hearing aids.

ReRAM 概觀

ReRAM: 可變電阻式隨機存取記憶體
ReRAM是一種非揮發性記憶體,其透過向金屬氧化物薄膜施加脈衝電壓,產生巨大的電阻差值來存儲“0”和“1”。
其結構非常簡單,兩側電極將金屬氧化物夾於中間,這簡化了製造工藝,同時可實現低功耗和高速讀寫等卓越效能。
此記憶體具備業界最低讀取電流,非常適用於穿戴式裝置和助聽器。

適合 ReRAM 的應用

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推薦產品

ReRAM 產品

型號
(icon-pdf 資料表)
存儲
密度
電源
電壓
工作
頻率
工作
溫度
讀取
電流
耐讀取
次數
封裝
MB85AS4MT
ENG (939 KB)
4Mbit 1.65 至 3.6V 5MHz -40 至 +85℃ 0.2mA 無限 SOP-8

* MB85AS4MT是一個SPI介面產品

全球聯繫方式

全球聯繫方式

[ 相關連結 ] ReRAM | ReRAM 簡介 | ReRAM 常見問題及回答 |