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| FRAM簡介 | 與其它記憶體的比較 | FRAM的特性,技術規格和技術支援 |


FRAM FAQ


FRAM簡介


與其它記憶體的比較

SRAM

EEPROM,快閃記憶體

其它記憶體


FRAM的特性,技術規格和技術支援

讀/寫週期

資料保存

其它


FRAM簡介


Question什麼是FRAM?

Answer FRAM(鐵電隨機記憶體)是一款非揮發性的記憶體,採用鐵電薄膜作為電容器來儲存資料。FRAM具有ROM(唯讀記憶體)和RAM(隨機記憶體)的兩種特性,並具有更快速的寫入,保證極佳的讀/寫次數和低功耗等特性。請訪問我們的FRAM 產品網址 ,瞭解更多詳情。


Question 目前FRAM是否已經被用於各種應用?

Answer 是的,自從1999年開始FRAM量產以來,富士通半導體已經為全球客戶提供了十餘年高品質FRAM產品的穩定供應。


Question 何種應用將會採用FRAM?

Answer FRAM已經用於那些要求小容量和高頻繁資料寫入的應用。應用包括,OA設備,如適用於計數器和列印計錄的MFP;FA設備,如適用於儲存參數和資料記錄的FA設備;財務終端,如適用於交易歷史記錄的ATM終端,基礎設施架構中的計量器、汽車導航系統和音響設備。瞭解更多應用,請上 我們的網站查詢 .


Question 我並不熟悉FRAM。與傳統記憶體相比,FRAM是否採用不同的控制或操作?

Answer FRAM產品非常易於使用,因為FRAM產品與標準的記憶體相相容,如EEPROM和低功耗SRAM。採用序列介面(I²C, SPI)的FRAM與串列EEPROM中串列快閃記憶體相容。採用並列介面的FRAM相容於低功耗SRAM。


Question FRAM、F-RAM和FeRAM是否為相同的元件?

Answer 是的,所有FRAM、F-RAM或FeRAM都是指鐵電隨機記憶體。


Question 我想要評估FRAM產品。我將在哪裡,如果才能獲得評估樣品?

Answer 請聯繫 我們在全球各地的銷售辦公室, 或通過我們網站上的 "FRAM樣品/文件申請/諮詢表" 申請評估樣品。


Question 我在哪裡能獲取適用於FRAM的文宣、資料手冊或簡介?

Answer 您可以通過下列連結獲取FRAM的技術文檔:適用於 FRAM簡介FRAM嵌入式RFID LSI的文宣, 適用於 FRAM產品FRAM嵌入式PFID LSI的FRAM產品. 或者,請聯繫 我們在全球各地的銷售辦公室, 或通過我們網站上的 "FRAM樣品/文件申請/諮詢表" 申請評估樣品。


Question 晶圓工廠或加工廠的位置在哪裡?

Answer FRAM的晶圓製造工廠是富士通半導體日本三重工廠。請上 我們的網站 瞭解更多資訊。


Question 我想瞭解FRAM的更多資訊,如何聯繫富士通半導體?

Answer 是的,請聯繫 我們在全球各地的銷售辦公室, 或通過我們網站上的 "FRAM樣品/文件申請/諮詢表" 提出您的申請。


Question 富士通是否有公司生產和提供FRAM產品?

Answer 是的,我們在全球各地均有FRAM的代理供應商。


Question 富士通是否有計劃開發具RTC功能的FRAM產品?

Answer 關於FRAM產品未來的開發計畫,請聯繫 我們在全球各地的銷售辦公室, 或通過我們網站上的"FRAM樣品/文件申請/諮詢表" 進行諮詢。

與其它記憶體的比較

SRAM


Question 我們正在尋求pseudo SRAM和可替代的解決方案。並列介面FRAM是否可以替代低功耗SRAM?

Answer 是的,由於採用並列介面的FRAM產品具有SRAM相容型介面,因此我們為那些想在移除電池並進行資料保存的客戶推薦用FRAM解決方案取代低功耗SRAM。請聯繫 我們在全球各地的銷售辦公室, 或通過我們網站上的 "FRAM樣品/文件申請/諮詢表" 提出技術問題。

EEPROM,快閃記憶體


Question FRAM的價格是否高於EEPROM?

Answer 關於請聯繫 我們在全球各地的銷售辦公室, 或通過我們網站上的 "FRAM樣品/文件申請/諮詢表" 進行詢價。


Question FRAM是否可以取代EEPROM?

Answer 是的,由於FRAM產品採用並列介面,I²C和SPI,採用8引腳SOP封裝,與採用8引腳SOP封裝的標準EEPROM相相容,因此,FRAM在那些PCB板上的佈局和引腳占位沒有任何設計變更的應用或系統中可以取代EEPROM。
如果你有興趣在你的應用中採用FRAM,那麼你可以通過 我們在全球各地的銷售辦公室, 或通過我們網站上的 "FRAM樣品/文件申請/諮詢表" 進行詢問或提出技術問題。


Question FRAM是否可以取代NAND快閃記憶體?

Answer 是的,但要取決於具體情況。由於具有一萬億次讀/寫週期及高耐久性的FRAM產品操作特性。因此,一些 採用平均寫入的NAND快閃記憶體的應用可以用FRAM產品來取代。 如果你有興趣在你的應用中採用FRAM,那麼你可以通過 我們在全球各地的銷售辦公室, 或通過我們網站上的 "FRAM樣品/文件申請/諮詢表" 進行詢問或提出技術問題。


Question 能夠以多快的速度執行寫入操作?

Answer非揮發性記憶體的寫入時間被分別指定:FRAM = 150ns,EEPROM = 10ms,快閃記憶體= 10us,因此在寫入操作中,FRAM的速度是EEPROM的7,0000倍。EEPROM和快閃記憶體在進行寫入操作前,需要進行位元組或扇區擦除操作,因此寫入時間長。FRAM不需要擦寫,可以實現對記憶體單元的覆蓋寫入,因此揮發具有更快速的寫入特性。


Question 什麼是串列記憶體? I²C介面和SPI介面之間的區別是什麼?

Answer 富士通半導體將帶有串列匯流排界面(I²C和SPI)的FRAM產品定義為我們FRAM系列的“串列記憶體”。 串列匯流排是一種通信方式,通過一個信號線,控制連續的資料輸入和輸出,而平行匯流排是通過多條信號線(如8位、16位和32位元)並時控制資料輸入和輸出的另外一種方法。串列匯流排的I²C介面是利用控制時鐘的“SCL”和針對位址和資料控制的“SDA”這兩個信號線控制資料讀取/寫入的一個介面。SPI介面是利用時鐘 “SCK”信號線控制其運行,“SI”用於位址和資料寫入,“SO”用於資料輸出,而“CS”用於晶片選擇。 由於相比於平行匯流排,串列匯流排可以降低PCB上佈線的數量,因此可以減少終端產品的PCB板的占板面積。因此,串列匯流排的設計成本將低於平行匯流排。

其它存储器


Question FRAM和新一代記憶體,如ReRAM, PCRAM, MRAM和nvSRAM之間的區別是什麼?

Answer ReRAM、PCRAM和 MRAM的開發是用於取代DRAM,以大容量產品為主。而FRAM產品擁有中小容量的產品陣容。因此,目標產品及應用和FRAM和其它新一代記憶體並不同。nvSRAM有與FRAM相同容量的產品,但是nvSRAM在規格上有一些限制,它需要一個額外的電容器以保證在電源故障時保存資料。

FRAM Characteristics, Specs, Supports

FRAM的特性,技術規格和技術支援


Question 富士通的FRAM記憶體可以保證一萬億次的讀/寫週期。保證值適用於單晶片或晶片上的每個位元組。

Answer 耐久性是保證每個位元組一萬億次。換個說法,假設一個客戶對不同的位址進行了讀寫操作,FRAM能保證在每個獨立的位址上讀寫操作一萬億次。


Question 是否僅執行了讀取操作?FRAM是否可以保證無限次的讀取週期?

Answer 不,並非是無限制的。FRAM可以保證一萬億次的讀寫操作。


Question 為什麼FRAM的讀取操作被計為一個的讀/寫週期?

Answer 在讀取操作後,FRAM自動在相同的單元,再一次的寫回資料。因此,讀取操作被計為一個讀/寫週期。

資料保存


Question 其它非揮發性記憶體供應商提到可以實現35年或更長時間的長期資料保存。富士通公司是否可以保證10年以上的資料保存週期?

Answer是的,在相同的條件下富士通半導體可以進行保證。資料保存週期受到終端產品應用所在的環境溫度的影響。我們所確保的10年的資料技術規格是客戶在固定的85℃條件下,採用我們FRAM產品得出的數值。如果客戶在低於85℃的條件下在其終端產品中使用我們的FRAM產品,如25℃或60℃,富士通可以保證基於理論計算的,超過10年的更長時間的資料保存週期。 如果你們還有進一步詳盡的要求,可以聯繫 我們在全球各地的銷售辦公室, 或通過我們網站上的 "FRAM樣品/文件申請/諮詢表" 進行詢問。

其它


Question 我們可以獲得FRAM的任何IBIS模擬模型嗎?

Answer 關於IBIS的模擬模型,請聯繫 我們在全球各地的銷售辦公室, 或通過我們網站上的 "FRAM樣品/文件申請/諮詢表" 進行詢問。


Question 採用FRAM時是否需要任何的特定存儲控制器?當我們應用FRAM時,我是否必需採用富士通的MCU?

Answer 不需要。你可以採用標準儲存控制器和MCU。您可使用富士通或任何其他廠牌的的控制器產品。FRAM可以作為一個標準記憶體用於你的系統。


Question 富士通公司是否可以告訴我們所需要的任何具體數值,表示“低功耗”的特性?

Answer 例如,與EEPROM和FRAM(條件:2M,SPI介面,2KB資料寫入,1秒,5MHz的頻率)相比,EEPROM消耗量為5.80mJ,而FRAM消耗量為0.46mJ。因此,FRAM僅消耗了十三分之一的功耗,節能達92%。


Question 因為提到了FRAM在晶體結構中含鉛(Pb),FRAM難道沒有違反RoHS規範嗎?

Answer 不會,FRAM產品中鉛(Pb)含量低於1,000ppm,所以FRAM符合RoHS規範的要求。


Question FRAM的封裝類型僅有SOP一種嗎?是否有採用其它類封裝的計畫?

Answer 在序列介面FRAM系列中,所有產品都採用SOP封裝。別外,16Kb FRAM可採用SON封裝而2Mb FRAM採用DIP封裝。在並行FRAM系列中,所有的產品都採用TSOP封裝。另外,256Kb FRAM具有SOP封裝。關於封裝形式的要求,請聯繫 我們在全球各地的銷售辦公室, 或通過我們網站上的 "FRAM樣品/文件申請/諮詢表" 進行詢問。


Question 富士通的FRAM產品是否可以採用晶圓或晶片形式出貨?

Answer 關於出貨方式,請聯繫 我們在全球各地的銷售辦公室, 或通過我們網站上的 "FRAM樣品/文件申請/諮詢表" 進行詢問。