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富士通半導體推出6MHz升降壓DCDC轉換器晶片適用於小型外部元件和電壓範圍廣大之應用

富士通半導體(上海)有限公司

臺北, 2011-02-24

香港商富士通半導體有限公司台灣分公司今日宣佈推出6MHz升降壓DCDC轉換器晶片-MB39C326。此款晶片適用於在行動電話、智慧手機、電子書和其他手持行動設備中的射頻功率放大器。富士通將於2011年6月起提供此款新IC產品樣本。

升降壓DCDC轉換器晶片-MB39C326能在射頻功率放大器內,以領先業界的6MHz頻率運作。由於採用較高頻率的6MHz運作,可大幅減少電源部分的安裝面積(僅為現今產品的一半。)

升降壓操作可使鋰離子電池能在更廣大的電壓範圍內運作。而MB39C326能在鋰離子電池的電壓下降時,為設備提供穩定的電壓,並延長鋰離子電池壽命。

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MB39C326 (2.15×1.94mm)

放大 (81 KB)

行動電話、智慧手機、電子書和其它手持式行動裝置需要更高效能、更強資料傳輸能力,同時要求元件微型化,並縮小機板面積。目前市場在不犧牲電源的穩定性和效能的情況之下,對縮減RF放大器整體尺寸有強烈需求。被動電感器就是其中一個需要較大機板面積的大型元件,而DCDC轉換器以較高頻率進行切換,可以縮減電感尺寸。傳統的DCDC轉換器以2~3MHz頻率切換,而富士通半導體的產品以6MHz頻率切換,因此裝置可以採用更小的電感器,就能把電源電路的整體占板面積縮小一半。升降壓自動切換可以擴大鋰電池的運作電壓,同時還能為功率放大器提供穩定電源。

富士通半導體在今年舉辦的行動通訊世界大會上(2011年2月14日至17日,巴賽隆納)展出此款新型升降壓DCDC轉換器-MB39C326。

樣品價格與推出時程

富士通半導體預計MB39C326的樣品將於2011年6月出貨,樣片價格為300日圓。預計此產品未來將可達到每月80萬顆的銷售目標。

MB39C326產品特性

  1. 較小的電感器可以6MHz的開關頻率運作,因此可減少電源電路表面的安裝面積
    傳統的DCDC轉換器以2~3MHz頻率切換,而富士通半導體的6MHz DCDC轉換器的開關頻率較高,可使用更小電感器。電感器所占用機板面積減少可使得電源部分的整體安裝面積縮減一半,這對重視尺寸大小的行動裝置來說極為重要。
  2. 採用升降壓操作,鋰離子電池可在更低電壓下運作
    使用鋰離子電池驅動裝置時,電池放電到一定程度後,電池的運作電壓便會下降,不能再向所連接的裝置提供足夠電量。此時,必需將輸出的電壓水準提高到裝置所需的水準,才能繼續為裝置供電。富士通的升降壓轉換器透過提高輸出電壓水準,進而提供設備足夠的電量運行,並延長電池的使用壽命。即使電池電壓降低,也可以透過功率放大器傳輸大量資料、以更加有效地運用電池的剩餘電量。
  3. 高效能電源
    此款新型高效控制器的設計使用低閘極電荷處理技術,能夠降低開關損耗和功耗。此款改良型的升降壓DCDC轉換器可實現更高效率功能。

MB39C326主要特性

  • 6MHz PWM操作可使用0.5uH小型電感器
  • 自動切換升壓模式和降壓模式
  • 內建內部FET
  • 省電模式可在低負載時提高效能
  • 電壓輸入範圍:3.1V ~ 4.6V
  • 可調式輸出電壓範圍:0.6V ~ 4.2 V
  • 輸出電流800mA
  • 過熱保護功能
  • 輸入低電壓鎖定
  • 20針腳0.4mm-ball-pitch 2.15mm×1.94mm WL-CSP(晶圓級晶片尺寸封裝)
  • 操作溫度範圍:-40℃ ~ +85℃

關於香港商富士通半導體有限公司台灣分公司(Fujitsu Semiconductor Pacific Asia Ltd., Taiwan Branch)

香港商富士通半導體有限公司台灣分公司為富士通半導體事業體系之一員,主要負責富士通半導體在台灣市場半導體的銷售業務,提供廣泛且多元化的產品系列與配套解決方案。
香港商富士通半導體有限公司台灣分公司的產品包括:專用積體電路(ASIC)、微控制器(MCU)、特定應用標準產品(ASSP)/系統單晶片(SoC)和系統儲存晶片。該公司的前身為1996年10月29日成立的新加坡商富士通亞太微電子股份有限公司台灣分公司,並於2010年7月22日正式更名。富士通半導體亞太有限公司與富士通半導體(上海)有限公司、新加坡的富士通半導體亞洲私人有限公司共同組成亞太地區的設計、開發及技術支援網路。
如需更多資訊,請灠瀏:http://www.fujitsu.com/cn/fsp/tw/

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傳真號碼: 886-2-25453690
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Company:香港商富士通半導體有限公司台灣分公司

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Company:世紀奧美公關顧問公司


文中提及的公司名稱和產品名稱是其所有者的商標或者注冊商標。該新聞稿中的資訊在發佈時準確無誤,可能隨時發生變化,恕不先行通知。

Press Release ID: 2011-02-24
Date: 2011-02-24
City: 臺北
Company: 富士通半導體(上海)有限公司