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富士通推出全新256Mbit Mobile FCRAM產品,完全符合COSMORAM Rev.4之規格

富士通專有技術具備高速、低功耗 為手機提供最佳效能

香港商富士通微電子有限公司台灣分公司

臺北, 2006-11-28

香港商富士通微電子有限公司台灣分公司今日宣佈推出全新Mobile 256Mbit FCRAM™(快速循環隨機存取記憶體)。此款Mobile FCRAM採用富士通獨有的FCRAM核心技術,是一個擁有SRAM介面的虛擬靜態隨機記憶體(PSRAM),具有高速運算及低功耗等優勢,適用於手機等各種手持式裝置之應用。

此款型號為MB82DDS08314A的Mobile FCRAM採用DDR突發模式,完全符合Mobile RAM (COSMORAM) Revision 4(1)*通用規格之要求,並具備以下特點:

  • DDR同步突發模式
  • 多重位址/資料介面
  • 每秒最高可達1GByte的高速資料傳輸速度
  • 短暫延遲模式能縮短最初存取時間

富士通微電子市場總監莊健偉先生表示:「目前高階手機均需要具備如數位相機、數位攝影機和數位地面廣播串流等各種功能。因此,可以預見的是像Mobile FCRAM這種高密度、高運算速度及低功耗的記憶體產品,將成為未來手機市場中不可或缺的元件。富士通的FCRAM系列產品所提供的高速資料傳輸速率,可在目前既有的PSRAM平台上,提升手機中的各種功能。此外,此款全新MB82DDS08314A元件可藉由多重位址與資料匯流排,將元件針腳數降到最低,協助客戶省去複雜的機板設計。」

富士通是業界第一家針對手機市場推出pseudo SRAM的廠商,長期以來在建立或擴展市場規模方面貢獻卓越。為了滿足市場對高速記憶體的需求,富士通分別在2003年5月及8月陸續推出32Mbit/64Mbit與128Mbit的突發模式Mobile FCRAM系列產品。

除了新款DDR突發模式的Mobile FCRAM,富士通也提供符合傳統COSMORAM Rev.3規格的256Mbit SDR Mobile FCRAM(型號為MB82DDS08314A),為需要內建SDR PSRAM介面的高密度RAM的客戶,提供另一種解決方案。

富士通將於2007年1月推出工程樣品,並於2007年4月起開始量產。兩種元件皆提供封裝產品,並具備晶片和晶圓兩種型態,以因應客戶需求。

富士通微電子將會持續為各種客戶的獨特應用,提供最佳的記憶體解決方案。

主要規格表

元件編號 MB82DDS08314A MB82DBS08314A
COSMORAM Revision規格 Revision 4 Revision 3
記憶體密度 256Mbit
供應電壓 1.7 to 1.95V
I/O配置 x32位元位址資料多工傳輸匯流排
突發頻率 135MHz 108MHz
介面 DDR SDR
資料傳輸速率 每秒1GByte 每秒400MBytes
初始存取時間(最大化) 45ns 70ns
時脈存取時間 (最大化) 6ns 7ns

  • [1] Mobile FCRAM (COSMORAM) Revision 4通用規格:

    2006年2月15日富士通、NEC和東芝宣佈了DDR突發模式pseudo SRAM用戶介面的通用規格。

關於香港商富士通微電子有限公司台灣分公司(Fujitsu Microelectronics Pacific Asia Ltd., Taiwan Branch)

香港商富士通微電子有限公司台灣分公司為富士通半導體事業體系之一員,主要負責富士通微電子在台灣市場半導體的銷售業務,提供廣泛且多元化的產品系列與配套解決方案。
香港商富士通微電子有限公司台灣分公司的產品包括:專用積體電路(ASIC)、微控制器(MCU)、特定應用標準產品(ASSP)/系統單晶片(SoC)和系統儲存晶片。該公司的前身為1996年10月29日成立的新加坡商富士通亞太微電子股份有限公司台灣分公司,並於2005年7月5日正式更名。富士通微型電子亞太有限公司與富士通微電子(上海)有限公司、新加坡的富士通微電子亞洲私人有限公司共同組成亞太地區的設計、開發及技術支援網路。
如需更多資訊,請灠瀏:http://www.fujitsu.com/tw/about/local/corporate/subsidiaries/fsp/

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FCRAM為富士通公司的商標。本文提及之其他產品和公司名稱為各該擁有公司的商標或註冊商標。

Press Release ID: 2006-11-28
Date: 2006-11-28
City: 臺北
Company: 香港商富士通微電子有限公司台灣分公司