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RFID用LSI

 

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当社はRFID用LSIとして、これまで13.56MHzのHF帯、そして860~960MHzのUHF帯の製品を開発製造しております。その最大の特長は、強誘電体メモリFRAMを搭載しているということであり、高速書込み・高書換えという特性を活かし、大容量のデータキャリア型パッシブRFID用LSIとして国内外に幅広く展開しています。

特長

  • 高速データ書込みを実現:FRAMの高速性により、書込み時のスループットが向上
  • 書込み時に通信距離劣化せず:低消費電力での書込みのため、読出し時と同等の通信距離を実現
    一方、EEPROM搭載タグは、書込み時消費電力が大きく、読取りに対する通信距離は劣化
  • 大容量メモリ搭載:書込みの高速化により、タグに情報を記録、追記する大容量メモリ搭載を実現
    一方、EEPROM搭載タグは、書込み速度が遅く、大容量タグへの適用少
  • 多頻度書換え可能:最大1兆回の読出し/書込みを保証。タグの長期利用とリユースを促進
  • 優れた放射線耐性:放射線照射後もデータを保持。ガンマ線滅菌処理下でもデータを保持
    一方、EEPROM搭載タグは、原理上、放射線耐性が脆弱
  • 国際標準対応:ISO15693, ISO18000-3, 6に対応した製品群

RFIDタグの高速処理のイメージ

  • タグ自身に履歴情報、検品情報を記録
  • 開梱せずに機器のパラメータ変更をタグで実現
  • スループット向上によるシステムコストの削減
  • オフライン環境でのシステム構築も可能

高速搬送イメージ

FRAM搭載RFIDの高速送受信特性

RFID用LSIが実現するアプリケーション

RFID用LSIが実現するアプリケーション

※ EEPROM: Electronically Erasable and Programmable Read-Only Memory

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