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不揮発性メモリのFRAMでは最大メモリ容量となる8Mビット品を開発

~ 産業機械向けのSRAMの置き換えにより、バッテリーの削減に貢献 ~

サンプルのWeb販売(*)

富士通セミコンダクター株式会社は、FRAMの製品ラインナップでは最大メモリ容量となる8MビットFRAM「MB85R8M2T」を開発し、今月から量産品を提供しています。
本製品は、1.8V~3.6Vのワイドレンジで動作し、SRAM互換のパラレルインターフェースをもつ不揮発性メモリです。これまでの最大4MビットFRAMのメモリ容量増加や、既に使用中の8MビットSRAMで瞬断対策用バッテリーの削減という要求に対応可能なメモリです。
工場での制御装置、ロボット、工作機械などの産業機械用途で使用しているSRAMを、本FRAMに置き換えることでバッテリーが不要となり、メモリ部の実装面積を約90%削減するとともに、トータルコストの削減に貢献できます。

当社の不揮発性メモリ「FRAM」は、高書換え耐性、高速書込み、低消費電力の特長をもち、約20年の量産実績がある信頼性が高いメモリです。
FRAMの書換え保証回数は、同じ不揮発性メモリのEEPROMと比較すると約1,000万倍の10兆回になるため、リアルタイムでのデータ記録や位置情報記憶など、頻繁なデータ書換えが必要な産業用アプリケーションにも採用されています。

今回、当社は8MビットFRAM「MB85R8M2T」を開発しました。
本製品は、SRAM互換のパラレルインターフェースをもち、1.8V~3.6Vのワイドレンジで動作します。パッケージは、お客様からの小型化の要求に応えて8mm x 6mmの小型サイズである48ピンFBGAパッケージを採用しています。
お客様が44ピンTSOPパッケージのSRAMをご使用の場合は、本FRAM製品に置き換えることで、バッテリーの実装面積を含めると約90%の実装面積の削減になります。(図1)

MB85R8M2T FBGAパッケージ

MB85R8M2Tの用途例

また、SRAMをFRAMに置き換えることで、メモリ部分の開発から運用を含めたトータルコストの削減に貢献します。
瞬断時のデータ保護用のバッテリーをなくすことによって、部品コストを抑えることができます。さらに、お客様の最終製品が数年間使用されることを踏まえると、SRAM使用時ではバッテリーの定期的な点検や交換、在庫の確保など、メンテナンスにかかる運用が発生しますが、FRAMでは不要になります。したがって、このバッテリーレス・ソリューションによって、開発と運用のトータルコスト削減に寄与します。(図2)

当社は、お客様の最終製品の性能向上とトータルコストの削減に貢献するFRAM製品とソリューションを、今後も継続して提供していきます。

図1:実装面積比較

図2: トータルコスト比較

主な仕様

  • 製品名: MB85R8M2T
  • 容量(メモリ構成): 8Mビット(512K x 16ビット)
  • インターフェース: パラレルインターフェース
  • 動作電源電圧: 1.8V~3.6V
  • 動作温度範囲: -40℃~+85℃
  • 書込み/読出し保証回数: 10兆回(10 13回)
  • パッケージ: 48ピンFBGA (8mm × 6mm)

関連リンク

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