FRAMの特長

4つの特長

不揮発性

  • 電源を切ってもデータが消えない
  • バッテリーフリー(グリーン化製品)

高速書換え

  • データの重ね書きが可能
  • 書換えコマンドの発行不要
  • 消去時間、書込みの待ち時間が不要

高書換え耐性

  • 最大10兆回(1013回)の書換えを保証
  • 書換え回数がEEPROMの最大1,000万倍

低消費電力

  • 書込みのための内部昇圧不要
  • 書込み時の消費電力がEEPROMの1/13以下(2Mビット品、1秒間で2Kビット書込み時)
  • データ保持のリテンション電流不要

FRAMが解決できる課題

汎用メモリのEEPROMやSRAMをご使用中のお客様が次のような課題をお持ちでしたら、当社FRAMのご使用をご検討ください。以下の「競合メモリとの比較」およびホワイトペーパーもご参照願います。

課題と解決案

アプリケーション毎の「FRAMだからできること」もご参照ください。

競合メモリとの比較

他のメモリとの性能比較

 FRAMEEPROMFLASHSRAM
メモリタイプ不揮発性不揮発性不揮発性揮発性
書換え方法重ね書き消去+書込み消去+書込み重ね書き
ライトサイクルタイム150ns5ms10µs55ns
書換え回数10兆回100万回10万回無制限
昇圧回路不要必要必要不要
データ保持バッテリ不要不要不要必要

EEPROM, Flashメモリとの比較(シリアルメモリ)

EEPROMやFlashメモリのような既存の不揮発メモリと比較すると、シリアルインタフェースのFRAMは、高速書換え、高書換え耐性、低消費電力、のメリットがあります。EEPROMやFlashをFRAMに置き換えることにより、お客様は次の利点があります。

  1. 搭載製品の性能向上

    FRAMは高速書込みが可能なため、瞬断時のデータバックアップが可能です。また、FRAMは書換え回数が多いため、装置の状態や履歴を管理する場合でも、EEPROMやFlashメモリよりも頻繁にデータを記録することが可能です。
    EEPROMやFlashメモリでは、データ書込み/消去時にメモリ内部で昇圧が必要なため、消費電力が大きくなりますが、FRAMは昇圧不要なため、低消費電力です。したがって、バッテリー駆動機器のバッテリー長寿命化が可能です。

    • 瞬断時のバックアップが可能
    • 高頻度でのデータ記録が可能
    • 低消費電力のため、バッテリーの長寿命化が可能
  2. トータルコストの削減

    製品ごとに出荷時パラメータを書込むような場合では、EEPROMやFlashメモリを使用する場合と比較して、書込み時間の短縮によるスループットの向上によって製造コスト削減につながります。また、EEPROMでは書換え回数が少ないため、複数のメモリ(例:EEPROM+Flashの2チップ構成、EEPROM+SRAM+バッテリの構成、など)でデータを保持していたような場合でも、FRAMでは1チップで代替可能です。

    • 出荷時パラメータの書込み時間削減
    • 製品の長寿命化による部品点数の削減

SRAMとの比較(パラレルメモリ)

パラレルインタフェースのFRAMは、SRAMと互換性があるインタフェースを採用しているため、バッテリーバックアップSRAMとの置き換えが可能です。SRAMをFRAMに置き換えることにより、以下のようなメリットが期待できます。

  1. トータルコストの削減

    バッテリーバックアップSRAMを用いたシステムでは、電池状態の管理をする必要があります。
    SRAMをFRAMに置き換えることにより、電池をメンテナンスする煩わしさから解放されます。
    また、このシステムでは、SRAMと電池以外に電池ソケットや逆流防止ダイオードが必要なため、基板上にもそれに応じた面積が必要ですが、FRAMは1チップでそれらの代替となるため、FRAMの使用は装置の小型化にも貢献します。

    • バッテリー交換が不要なため、メンテナンスフリー
    • 部品点数の削減による装置の小型化が可能
  2. 環境負荷低減

    SRAMの場合、外付けの使用済み電池は産業廃棄物となります。FRAMの使用により不要な電池を削減することができます。

    • 電池の廃棄不要

※ EEPROM:Electronically Erasable and Programmable Read-Only Memory

お問い合わせ

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    FRAMのFAQもご参照ください。

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