125℃動作のFeRAMでは最大メモリ容量となる2Mビット品を開発

~ 高温環境下での信頼性を保証する自動車、産業用ロボット向け不揮発性メモリ ~

概要

富士通セミコンダクター株式会社は、125℃での動作を保証するFeRAMファミリーとしては最大メモリ容量となる2MビットFeRAM「MB85RS2MTY」を開発し、評価サンプルの提供を開始しました。本製品は125℃の高温環境下においても10兆回のデータ書込み回数を保証する不揮発性メモリです。リアルタイムでの走行データまたは位置データの連続記録が可能で、かつ、停電時でもデータが消えません。したがって、エンジンやモーターによる発熱で高温になる自動車や産業用ロボット向けに最適です。

MB85RS2MTYのパッケージ
図1:MB85RS2MTYの用途
図2:125℃動作のFeRAMの特長

詳細

FeRAMは、EEPROMやフラッシュメモリと比べて「高書換え耐性」、「高速書込み」、「低消費電力」の特長で優位性をもつ不揮発性メモリです。これまでに約20年の量産実績をもち、近年はウェアラブルデバイス、産業用ロボット、そしてドローンへの採用実績もあります。

本製品は、2Mビットのメモリ容量をもち、1.8V~3.6Vのワイドレンジの電源電圧で動作するSPIインターフェースのメモリです。-40℃~+125℃の温度範囲において、EEPROMの約1,000万倍となる10兆回の書換え回数を保証しています。動作周波数は、従来品の1.5倍となる最大50MHzに高速化されています。くわえて、本製品の信頼性試験は車載グレードと呼ばれる高品質規格であるAEC-Q100グレード1に準拠しています。
パッケージは、EEPROMと置き換え可能な8ピンSOPに加えて、リード無しの8ピンDFN(Dual Flatpack No-leaded package)も揃えています。

当社は、高いデータ書換え性能をもつFeRAMをEEPROMの高性能互換メモリとしてカード、産業機器、および民生機器市場に供給してきました。その後、2017年に125℃動作のFeRAMの量産を開始して以来、高温動作、高信頼性が必要とされる自動車分野や産業機械分野に対して、高温対応品の提供を拡大しており、今回の2Mビット品の開発に至ります。
今後もお客様のアプリケーションの価値と利便性を向上させるために、FeRAM技術を適用したプロダクトとソリューションを提供していきます。

主な仕様

製品名MB85RS2MTY
容量(メモリ構成)2Mビット(256K x 8ビット)
インターフェースSPI(シリアル・ペリフェラル・インターフェース)
動作周波数50MHz(最大)
動作電源電圧1.8V~3.6V
動作温度範囲-40℃~+125℃
書込み/読出し保証回数10兆回(1013回)
パッケージ8ピンSOP, 8ピンDFN
品質規格AEC-Q100グレード1準拠

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