不揮発性メモリのFeRAMでは最大メモリ容量となる8Mビット品を開発

～ 産業機械向けのSRAMの置き換えにより、バッテリーの削減に貢献 ～

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概要

富士通セミコンダクター株式会社は、FeRAMの製品ラインナップでは最大メモリ容量となる8MビットFeRAM「MB85R8M2T」を開発し、今月から量産品を提供しています。本製品は、1.8V～3.6Vのワイドレンジで動作し、SRAM互換のパラレルインターフェースをもつ不揮発性メモリです。これまでの最大4MビットFeRAMのメモリ容量増加や、既に使用中の8MビットSRAMで瞬断対策用バッテリーの削減という要求に対応可能なメモリです。工場での制御装置、ロボット、工作機械などの産業機械用途で使用しているSRAMを、本FeRAMに置き換えることでバッテリーが不要となり、メモリ部の実装面積を約90%削減するとともに、トータルコストの削減に貢献できます。

MB85R8M2T FBGAパッケージ

MB85R8M2Tの用途例

図1：実装面積比較

図2：トータルコスト比較

詳細

当社の不揮発性メモリ「FeRAM」は、高書換え耐性、高速書込み、低消費電力の特長をもち、約20年の量産実績がある信頼性が高いメモリです。
FeRAMの書換え保証回数は、同じ不揮発性メモリのEEPROMと比較すると約1,000万倍の10兆回になるため、リアルタイムでのデータ記録や位置情報記憶など、頻繁なデータ書換えが必要な産業用アプリケーションにも採用されています。

今回、当社は8MビットFeRAM「MB85R8M2T」を開発しました。
本製品は、SRAM互換のパラレルインターフェースをもち、1.8V～3.6Vのワイドレンジで動作します。パッケージは、お客様からの小型化の要求に応えて8mm x 6mmの小型サイズである48ピンFBGAパッケージを採用しています。
お客様が44ピンTSOPパッケージのSRAMをご使用の場合は、本FeRAM製品に置き換えることで、バッテリーの実装面積を含めると約90％の実装面積の削減になります。（図1）

また、SRAMをFeRAMに置き換えることで、メモリ部分の開発から運用を含めたトータルコストの削減に貢献します。
瞬断時のデータ保護用のバッテリーをなくすことによって、部品コストを抑えることができます。さらに、お客様の最終製品が数年間使用されることを踏まえると、SRAM使用時ではバッテリーの定期的な点検や交換、在庫の確保など、メンテナンスにかかる運用が発生しますが、FeRAMでは不要になります。したがって、このバッテリーレス・ソリューションによって、開発と運用のトータルコスト削減に寄与します。（図2）

当社は、お客様の最終製品の性能向上とトータルコストの削減に貢献するFeRAM製品とソリューションを、今後も継続して提供していきます。

主な仕様

データシート

• 8MビットFeRAM「MB85R8M2T」