お知らせ
2014年11月25日
富士通セミコンダクター株式会社
当社従業員が第14回一般財団法人材料科学技術振興財団山崎貞一賞を受賞
当社従業員3名が、一般財団法人材料科学技術振興財団により選出される今年度の「山崎貞一賞」の4分野のうちの「半導体及び半導体装置分野」を受賞し、11月21日に贈呈式が行われました。
受賞テーマ
強誘電体メモリの高信頼化技術の開発と量産化
受賞者
写真左から
- 柏木 茂雄
（かしわぎ しげお）
取締役・
執行役員副社長 - 恵下 隆
（えした たかし）
システムメモリ事業部
専任部長 - 川嶋 将一郎
（かわしま しょういちろう）
システムメモリ事業部
主席部長
受賞した技術の概要
受賞者らは、製造プロセスにおける強誘電体特性の劣化機構を解明するとともに保護膜被覆構造などの高信頼化技術を開発し、1999年、FeRAMを世界に先駆けて実用化しました。さらに、新しい回路技術の開発に成功し、FeRAMは高速・低消費電力特性と実用上無限回書き込みにより、スマートカード、認証チップに使われ、安全性の高い商取引に貢献しています。
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