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お知らせ

2013年11月29日
富士通セミコンダクター株式会社

当社従業員が第61回電気科学技術奨励賞および文部科学大臣奨励賞を受賞

当社従業員3名が、公益財団法人電気科学技術奨励会により選定される今年度の「電気科学技術奨励賞」、および今回選定された同奨励賞全28件の中から1件のみ選出される「文部科学大臣奨励賞」を併せて受賞し、11月27日に贈呈式が行われました。

受賞テーマ

高集積強誘電体メモリ(FRAM)の量産技術開発

受賞者

受賞写真

写真左から

  • 彦坂 幸信
    (ひこさか ゆきのぶ)
    製造本部 プロセス技術統括部
    プロジェクト課長
  • 三原 智
    (みはら さとる)
    製造本部 プロセス技術統括部
    プロジェクト課長
  • 王 文生
    (おう ぶんせい)
    製造本部 プロセス技術統括部

受賞した技術の概要

強誘電体メモリFRAMは、電源を切ってもデータが消えない不揮発性と高速書込みを両立させた優れたメモリですが、量産のためには、使用される強誘電体材料が従来の半導体製造プロセス中にその強誘電性を失ってしまうという課題を解決する必要がありました。受賞者らは、強誘電体材料とその周辺の材料を根本から見直し、強誘電体材料が半導体製造プロセスの中で劣化しない劣化防止技術を確立し、世界に先駆けてFRAMの量産を実現させました。

報道関係者お問い合わせ先

富士通セミコンダクター株式会社
経営推進本部 経営戦略室
icon-telephone 電話: 045-755-7009(直通)
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