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プレスリリース

2019年7月30日
富士通セミコンダクター株式会社

量産製品では世界最大容量となる8MビットReRAMを9月から提供開始

~ 業界最小クラスの読出し電流により、補聴器、スマートウォッチなどに最適 ~

富士通セミコンダクター株式会社注1は、ReRAM注2の量産製品としては世界最大容量となる8MビットReRAM、“MB85AS8MT”を9月から提供開始します。本製品は、パナソニック セミコンダクターソリューションズ株式会社注3と共同製品開発したReRAM製品です。

MB85AS8MTは、1.6Vから3.6Vのワイドレンジの電源電圧をもち、EEPROM互換のコマンドおよびタイミングで動作するSPIインターフェースの不揮発性メモリです。

本製品の大きな特長としては、5MHz動作時の平均読出し電流が0.15mAと非常に小さいことです。したがって、データの読出し動作が頻繁な電池駆動のアプリケーションでは電池の消耗を最小限にできます。

超小型パッケージのWL-CSP(Wafer Level Chip Size Package)での提供も可能ですので、補聴器、スマートウォッチ、スマートバンドなど小型のウェアラブルデバイスに最適なメモリです(図1)。

MB85AS8MTのパッケージMB85AS8MTのパッケージ

当社はこれまで、EEPROMやシリアルフラッシュメモリに比べ、「高書換え耐性」や「高速書込み」の特長で優位に立つFRAM製品を提供することにより、頻繁なデータログの実現や瞬断対策といったお客様の要望に応えてきました。一方で、お客様の声として、「書換えは頻繁ではないが、何度もデータの読出しをするアプリケーションなので読出し時の電流が少ないメモリが欲しい」という要求もありました。

このようなニーズに対応するために、「バイト単位のアクセスが可能な大容量メモリ」と「少ない読出し電流」の特長をもつ不揮発性メモリとして、ReRAMの提供を開始しています。今回、当社は世界最大容量となる8MビットReRAM、“MB85AS8MT”を開発しました。

本製品は、ReRAM量産製品としては最大となる8Mビットのメモリ容量をもつ不揮発性メモリです。1.6Vから3.6Vのワイドレンジの電源電圧をもち、EEPROM互換のコマンドおよびタイミングで動作するSPIインターフェースのReRAMです。

図1: 新製品の特長と用途図1: 新製品の特長と用途

本製品の大きな特長は、不揮発性RAMの中では読出し電流が非常に小さいことです。5MHz動作時の平均読出し電流が0.15mAで、EEPROMの読出し電流3.0mAに比べてわずか5%となります。したがって、特定のプログラムや設定データを頻繁に読み出すアプリケーションでは、電力の消費が少ないため、電池駆動のアプリケーションにおいては電池の消耗を最小限にできます(図2)。

パッケージは、EEPROMとピン互換の8ピンSOP (Small Outline Package)に加えて、ウェアラブルデバイスに搭載可能な超小型パッケージとして2mm x 3mmの11ピンWL-CSPも用意しています(図3)。

これにより、超小型パッケージに搭載された、EEPROM互換の大容量メモリと低消費電力の特長をもつ本製品は、電池駆動のウェアラブルデバイスである補聴器、スマートウォッチ、スマートバンドなどへの採用が期待されます。

図2: ReRAMとEEPROMの読出し電流比較図2: ReRAMとEEPROMの読出し電流比較

図3: SOPとWL-CSPの実装面積比較図3: SOPとWL-CSPの実装面積比較

当社は、今後もお客様個々のアプリケーションに最適なメモリの提案に、最大限に取り組んでいきます。

主な仕様

  • 製品名: MB85AS8MT
  • メモリ容量(構成): 8Mビット(1Mワード x 8ビット)
  • インターフェース: SPI(Serial Peripheral Interface)
  • 動作電源電圧: 1.6V~3.6V
  • 動作周波数: 最大10MHz
  • 読出し動作電流: 0.15mA(平均値、5MHz動作時)
  • ライトサイクル時間: 10ms
  • ページサイズ: 256Byte
  • 書込み保証回数: 100万回 / 読出し保証回数: 無限回
  • データ保持特性: 10年(+85℃)
  • パッケージ: 11ピンWL-CSP、8ピンSOP

注釈

注1 富士通セミコンダクター株式会社:

本社 神奈川県横浜市、代表取締役社長 曲渕 景昌。

注2 ReRAM:

Resistive Random Access Memory
抵抗変化型メモリ。金属酸化物薄膜にパルス電圧を加えることで大きな抵抗変化を生じさせ“0”“1”を記憶する不揮発性メモリ。金属酸化物を電極ではさんだシンプルな構造で、製造プロセスが簡単であり、低消費電力特性や高速書換え特性などの優れた特長を有する。

注3 パナソニック セミコンダクターソリューションズ株式会社:

本社 京都府長岡京市、代表取締役社長 小山 一弘。

商標

  • 記載されている製品名などの固有名詞は、各社の商標または登録商標です。

関連リンク

本件に関する問い合わせ先


富士通セミコンダクター株式会社
システムメモリカンパニー
マーケティング統括部
icon-telephone 電話: 045-755-7035(直通)
icon-form お問い合わせフォーム


プレスリリースに記載された製品の価格、仕様、サービス内容などは発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。あらかじめご了承ください。

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