不揮発性メモリのFRAMでは最大メモリ容量となる8Mビット品を開発

～産業機械向けのSRAMの置き換えにより、バッテリーの削減に貢献～

富士通セミコンダクター株式会社^（注1）は、FRAM ^（注2）の製品ラインナップでは最大メモリ容量となる8MビットFRAM「MB85R8M2T」を開発し、今月から量産品を提供しています。

本製品は、1.8V～3.6Vのワイドレンジで動作し、SRAM互換のパラレルインターフェースをもつ不揮発性メモリです。これまでの最大4MビットFRAMのメモリ容量増加や、既に使用中の8MビットSRAMで瞬断対策用バッテリーの削減という要求に対応可能なメモリです。

工場での制御装置、ロボット、工作機械などの産業機械用途で使用しているSRAMを、本FRAMに置き換えることでバッテリーが不要となり、メモリ部の実装面積を約90%削減するとともに、トータルコストの削減に貢献できます。

English

当社の不揮発性メモリ「FRAM」は、高書換え耐性、高速書込み、低消費電力の特長をもち、約20年の量産実績がある信頼性が高いメモリです。FRAMの書換え保証回数は、同じ不揮発性メモリのEEPROMと比較すると約1,000万倍の10兆回になるため、リアルタイムでのデータ記録や位置情報記憶など、頻繁なデータ書換えが必要な産業用アプリケーションにも採用されています。

8MビットFRAM「MB85R8M2T」のアプリケーション例
MB85R8M2Tの用途例

「MB85R8M2T」のパッケージ写真
MB85R8M2T FBGAパッケージ

今回、当社は8MビットFRAM「MB85R8M2T」を開発しました。本製品は、SRAM互換のパラレルインターフェースをもち、1.8V～3.6Vのワイドレンジで動作します。パッケージは、お客様からの小型化の要求に応えて8mm x 6mmの小型サイズである48ピンFBGAパッケージを採用しています。お客様が44ピンTSOPパッケージのSRAMをご使用の場合は、本FRAMに置き換えることで、バッテリーの実装面積を含めると約90％の実装面積の削減になります。（図1）

図1:実装面積比較

また、SRAMをFRAMに置き換えることで、メモリ部分の開発から運用を含めたトータルコストの削減に貢献します。

瞬断時のデータ保護用のバッテリーをなくすことによって、部品コストを抑えることができます。さらに、お客様の最終製品が数年間使用されることを踏まえると、SRAM使用時ではバッテリーの定期的な点検や交換、在庫の確保など、メンテナンスにかかる運用が発生しますが、FRAMでは不要になります。したがって、このバッテリーレス・ソリューションによって、開発と運用のトータルコスト削減に寄与します。（図2）

図2:トータルコスト比較

当社は、お客様の最終製品の性能向上とトータルコストの削減に貢献するFRAM製品とソリューションを、今後も継続して提供していきます。

主な仕様

製品名：MB85R8M2T
容量（メモリ構成）：8Mビット（512K x 16ビット）
インターフェース：パラレルインターフェース
動作電源電圧：1.8V～3.6V
動作温度範囲：-40℃～＋85℃
書込み/読出し保証回数：10兆回（10¹³ 回）
パッケージ：48ピンFBGA （8 mm × 6 mm）

注釈

注1 富士通セミコンダクター株式会社:

本社神奈川県横浜市、代表取締役社長曲渕景昌。

注2 FRAM:

Ferroelectric Random Access Memory
強誘電体メモリ。強誘電体膜をデータ保持のキャパシタに利用したメモリ。電源を切っても内容を保持する。データの高速な書込み動作、低消費電力、書換え回数が多いといったROMとRAMの長所をあわせ持つ。FeRAMとも呼ばれる。当社では、1999年より量産開始。