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プレスリリース

2015年4月28日
富士通セミコンダクター株式会社

富士通セミコンダクターの社員 平成27年春の褒章において「紫綬褒章」を受章

~高集積強誘電体メモリの開発~

富士通セミコンダクター株式会社(注1)社員 惠下 隆(えした たかし)は、平成27年春の褒章において、4月29日付けで「高集積強誘電体メモリの開発」により紫綬褒章を受章することになりました。伝達式は5月15日に行われます。

紫綬褒章は、科学技術分野における発明・発見や、学術およびスポーツ・芸術文化分野における優れた業績を挙げた者に授与されます。このたびの受章は、書換え回数が多く、書換え速度が速く、低消費電力の不揮発性メモリである強誘電体メモリ(FRAM)の量産化を、世界に先駆けて実現したことが評価されました。FRAMは、高い安全性を必要とするスマートカードや認証デバイスなどに幅広く利用され、社会インフラの安心・安全に貢献しています。

受章者

紫綬褒章:富士通セミコンダクター株式会社 システムメモリ事業部 専任部長 惠下 隆(えした たかし)

業績概要

1990年代情報通信技術の発達により普及したスマートカードなどには、書換え回数が多く、書換え速度が速く、かつ低消費電力の不揮発性メモリが求められていましたが、当時普及していたフラッシュメモリはこの要求を満たせませんでした。強誘電体を用いた不揮発性メモリFRAMは、この要求を満たすため、日米韓の多くの企業が実用化を試みましたが、従来の半導体プロセスの中で強誘電体が劣化するため、多くの場合実用化できませんでした。

恵下のグループにおいて、劣化原因が半導体プロセスで発生する水素による強誘電体の還元であることを定量的に明らかにしました。また、水素を通しにくい保護膜で強誘電体キャパシタを覆う劣化抑制技術を開発し、世界に先駆けてFRAMの量産化に成功しました。さらに強誘電体結晶の改善などによってFRAMの低電圧化および高集積化を実現し、FRAMをスマートカードに搭載可能にしました。

本FRAMは、高いセキュリティ性を必要とするスマートカードや純正品か否かを判定する認証デバイスなどに幅広く利用されています。これにより、インターネットなどによる商取引のセキュリティ性を大幅に向上させるなど、社会インフラの安心・安全に貢献しています。

主な受賞・表彰

  • 平成23年 産学官連携功労者表彰日本経済団体連合会会長賞
  • 平成25年 第7回応用物理学会フェロー表彰
  • 平成26年 第60回大河内記念技術賞
  • 平成26年 平成26年度文部科学大臣表彰科学技術賞 (開発部門)
  • 平成26年 第14回山崎貞一賞(半導体及び半導体装置分野)

注釈

注1 富士通セミコンダクター株式会社:
本社 神奈川県横浜市、代表取締役社長 曲渕 景昌。

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報道関係者お問い合わせ先

富士通セミコンダクター株式会社
経営推進本部 経営戦略室
icon-telephone  電話: 045-755-7009 (直通)
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