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プレスリリース

2014年4月8日
富士通セミコンダクター株式会社

「平成26年度 科学技術分野の文部大臣表彰」の「科学技術賞」を受賞


富士通セミコンダクター株式会社 (注1)の従業員はこのたび、文部科学省が主催する「平成26年度科学技術分野の文部科学大臣表彰」において「高集積強誘電体メモリの量産化技術の開発」で「科学技術賞(開発部門)」を受賞しました。表彰式は、4月15日(火曜日)に文部科学省にて行われます。

文部科学省では、科学技術に関する研究開発、理解増進などにおいて顕著な成果を収めた者について、その功績を讃えることにより、科学技術に携わる者の意欲の向上を図り、我が国の科学技術水準の向上に寄与することを目的とする科学技術分野の文部科学大臣表彰を定めています。 科学技術賞(開発部門)は、我が国の社会、経済、国民生活の発展向上などに寄与し、実際に利活用されている画期的な研究開発、もしくは、発明を行った者を対象としています。

受賞者および業績名

受賞者

王 文生 製造本部 プロセス技術統括部
川嶋 将一郎 事業本部 システムメモリ事業部 主席部長
高井 一章 事業本部 システムメモリ事業部
竹島 徹 事業本部 システムメモリ事業部 専任部長
恵下 隆 製造本部 プロセス技術統括部 専任部長

業績名

高集積強誘電体メモリの量産化技術の開発

受賞技術の概要

1990年代から普及し始めたスマートカードや携帯機器などでは、電源を切っても記憶が保持され(不揮発性)、低消費電力で高速かつ何回でも書き換えられるメモリが要求されていました。日本や米国でこの要求を満たす強誘電体メモリ(FRAM:ferroelectric Random Access Memory)を、従来の半導体プロセスで製造する研究開発が行われましたが、実用化が困難でした。FRAMで使用する酸化物の強誘電体は、半導体プロセスにおいて発生する水素などによって還元され、その強誘電性が劣化するためでした。当社では、この強誘電体の劣化を抑える技術を開発することで、世界に先駆けてFRAMの量産化を実現しました。また、強誘電体キャパシタの分極量を大きくするプロセス技術のほか、強誘電体キャパシタの特性に適合した書込み読出し回路技術も開発し、大容量化と低電圧化を可能にしました。現在、FRAMは、書換え回数、書換えスピード、低消費電力の特性を生かすことで、スマートカード、認証デバイス、電子タグなどに使用されています。

注釈

注1  富士通セミコンダクター株式会社:

本社 神奈川県横浜市、代表取締役社長 岡田 晴基。

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報道関係者お問い合わせ先

富士通セミコンダクター株式会社
経営推進本部 経営戦略室
icon-telephone  電話: 045-755-7009 (直通)
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