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プレスリリース

2014年2月17日
富士通セミコンダクター株式会社

「第60回(平成25年度)大河内賞」の「大河内記念技術賞」を受賞

富士通セミコンダクター株式会社 (注1)の従業員はこのたび、「高集積強誘電体メモリ(FRAM)の量産技術開発」に関して第60回(平成25年度)「大河内記念技術賞」を受賞しました。贈賞式は3月26日(水曜日)に東京・丸の内の日本工業倶楽部会館にて行われます。

大河内賞は大河内正敏工学博士が、財団法人理化学研究所の第3代所長(大正10年~昭和21年)として学会・産業界に残した大きな貢献を記念して設立されたもので、毎年、日本の生産工学・生産技術分野における顕著な業績に対して贈られるものです。

受賞者および案件名

受賞者

井上 あまね 取締役 事業本部長
森田 敬三 事業本部 システムメモリ事業部 FRAM第一設計部
川嶋 将一郎 事業本部 システムメモリ事業部 主席部長
佐次田 直也 製造本部 プロセス技術統括部 第一インテグレーション技術部
恵下 隆 製造本部 プロセス技術統括部 専任部長

案件名

「高集積強誘電体メモリ(FRAM)の量産技術開発」

受賞技術の概要

1990年代から普及し始めたスマートカードや携帯機器などでは、電源を切っても記憶が保持され(不揮発性)、低消費電力で高速かつ何回でも書き換えられるメモリが要求されていました。日本や米国でこの要求を満たす強誘電体メモリ(FRAM:ferroelectric Random Access Memory)を、従来の半導体プロセスで製造する研究開発が行われましたが、実用化が困難でした。FRAMで使用する酸化物の強誘電体は、半導体プロセスにおいて発生する水素等によって還元され、その強誘電性が劣化するためでした。当社では、この強誘電体の劣化を抑える技術を開発することで、世界に先駆けてFRAMの量産化を実現しました。また、強誘電体キャパシタの特性に適合した書込み読出し回路技術も開発し、大容量化と低電圧化を可能にしました。現在、FRAMは、書換え回数、書換えスピード、低消費電力の特性を生かすことで、スマートカード、認証デバイス、電子タグなどに使用されています。

注釈

注1  富士通セミコンダクター株式会社:

本社 神奈川県横浜市、代表取締役社長 岡田 晴基。

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報道関係者お問い合わせ先

富士通セミコンダクター株式会社
経営推進本部 経営戦略室
icon-telephone  電話: 045-755-7009 (直通)
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