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ReRAM量産製品として世界最大容量の4Mビット品の提供を開始
~ 業界最小クラスの読出し電流をもつメモリにより、ウェアラブルデバイスや補聴器に最適 ~

当社は、ReRAM注1の量産製品としては世界最大容量となる4MビットReRAM「MB85AS4MT」の提供を開始しました。本製品は、パナソニックセミコンダクターソリューションズ株式会社注2と共同製品開発した最初のReRAM製品です。
MB85AS4MTは、1.65Vから3.6Vのワイドレンジの電源で動作するSPIインタフェースのReRAMです。読出し動作時の平均電流が、最大動作周波数の5MHzでは0.2mAと非常に小さいことが特長です。
大容量・低消費電力の電子部品が必要とされるバッテリー駆動のウェアラブルデバイスや補聴器などの医療機器に最適です。

図1: MB85AS4MTのパッケージ 当社はこれまで、EEPROMやシリアルフラッシュメモリなど汎用不揮発性メモリの性能以上の仕様を要求するお客様に対して、「高書換え耐性」や「低消費電力」などの特長をもつFRAM製品を提供することにより、課題の解決に貢献してきました。今回、新たに4MビットReRAM「MB85AS4MT」をラインナップに加えることで、多様化するお客様のニーズにお応えするための選択肢をさらに広げることが可能になります。

本製品は、1.65Vから3.6Vのワイドレンジの電源で動作し、SPIインタフェースで最大5MHz動作が可能で、かつ読出し動作時の平均電流が非常に小さいことが大きな特長です(5MHz動作時:0.2mA)。不揮発性メモリとしては業界最小クラスの読出し動作時の低消費電力を実現しました。

パッケージは、EEPROMなどほかの不揮発性メモリ製品とピン互換の209mil 8ピンSOP(Small Outline Package)です。シリアルインタフェースEEPROMの最大容量を超える4Mビットのメモリ容量を、小型8ピンSOPのパッケージサイズの中に搭載しました。
大容量と低消費電力の特長をもつ「MB85AS4MT」は、バッテリー駆動のウェアラブルデバイス、補聴器などの医療機器、メータや計測機器などのIoTデバイスへの採用が期待されます。
当社は、今後もお客様のアプリケーションの価値と利便性を向上させるために、プロダクトとソリューションを提供していきます。

(注1)ReRAM:
Resistive Random Access Memory
抵抗変化型メモリ。金属酸化物薄膜にパルス電圧を加えることで大きな抵抗変化を生じさせ"0""1"を記憶する不揮発性メモリ。金属酸化物を電極ではさんだシンプルな構造で、製造プロセスが簡単であり、低消費電力特性や高速書換え特性などの優れた特長を有する。

(注2)パナソニックセミコンダクターソリューションズ株式会社:
本社 京都府長岡京市、代表取締役社長 小山 一弘。

主な仕様

  • 製品名: MB85AS4MT
  • メモリ容量(構成): 4Mビット(512K ワード × 8ビット)
  • インタフェース: SPI(Serial Peripheral Interface)
  • 動作電源電圧: 1.65V~3.6V
  • 低消費電力:
    • 読出し動作電流: 0.2mA(5MHz動作時)
    • 書込み動作電流: 1.3mA(tWC期間)
    • スタンバイ電流: 10µA
    • スリープ電流: 2µA
  • 書込み保証回数: 120万回 / 読出し保証回数: 無限回
  • ライトサイクル時間(256Byteページ):16ms(100%データ反転時)
  • データ保持特性:10年(+85℃)
  • パッケージ:209mil 8ピンSOP

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