富士通半導体の歴史

| 沿革| 富士通半導体の歴史 |

1956年

川崎工場内にトランジスタ工場を新設
電電公社の中継機向けにシリコントランジスタの第一号を製品化

1957年

国内最大の大型汎用電子計算機FACOM222完成

1963年

シリコン半導体技術を基に、TTLなど電算機向けIC開発に着目

1966年

川崎工場に、当時の最新設備を完備した日本で初めての半導体製造クリーンルームが完成

1968年

世界初のフルIC電算機FACOM230-60完成

1970年

Ni-Cr薄膜ハイブリットICを開発
福島県会津工場でのIC生産を開始、量産体制が確立

1976年

コンピュータ用メモリ64Kb/256Kb DRAMの微細加工技術確立

1979年

CMOSゲートアレイの外販をスタート
米国に設計・販売会社 Fujitsu Microelectronics Inc. （現 Fujitsu Semiconductor America, Inc）設立

1980年

富士通が動作原理を考案し開発した、半導体デバイスHEMTの製品化に成功
欧州に設計・販売会社 Fujitsu Microelectronics GmbH （現 Fujitsu Semiconductor Europe GmbH）設立

1981年

パソコンFM-8に、世界初の64Kb DRAMを搭載

1983年

世界初のCMOS 256Kb EPROM発表

1986年

シンガポールに設計・販売会社 Fujitsu Microelectronics Asia pte Limited （現 Fujitsu Semiconductor Asia Pte. Ltd.）設立

1992年

世界初のガリひ素ICの量産工場を設立
世界で初めて、スーパーコンピュータの演算機能をワンチップ化したCMOSのベクトル処理LSIを開発

1996年

フッ化アルゴンを用いた露光技術の開発を行い、4Gb DRAM相当で0.13umルールのパターン形成に、世界で初めて成功

1999年

システムLSIの中核としてVLIWプロセッサ"FR-Vファミリー"を開発
韓国に販売会社Fujitsu Microelectronics Korea Limited （現 Fujitsu Semiconductor Korea Limited）設立

2000年

あきる野テクノロジセンター開設
最先端デバイスの開発、設計、試作の一貫体制を確立

2003年

半導体後工程の専業会社「富士通インテグレーテッドマイクロテクノロジ株式会社」（FIM）の設立
中国に販売会社Fujitsu Microelectronics （Shanghai） Co.Limited （現 Fujitsu Semiconductor （Shanghai） Co., Ltd.）設立

2004年

三重工場に300mmウェーハ対応の新棟完成（2005年4月より90nmで稼動）
米国ラティス様からFPGA製品の製造を受託

2005年

「マルチギガビットCMOS高速I/O技術の開発と実用化」が第51回大河内記念賞を受賞
基地局と端末機器双方で使用できる世界初のWiMAX対応ベースバンドLSIを開発

2006年

三重工場に300mmウェーハ対応の第2棟建設（2007年4月より65nmで稼動）
株式会社アドバンテスト様と株式会社イー・シャトル設立、電子ビームによる直接描画を商品化
アジア地域の強化のためマイコン設計会社West Star Chips社（現 Fujitsu Semiconductor Design（Chengdu） Co. Ltd）を買収