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富士通クオリティ・ラボ

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AES受託分析:オージェ電子分光分析の事例紹介

AES : オージェ電子分光法(Auger Electron Spectroscopy, 別名SAM)とは

走査型オージェ電子分光装置(Scanning Auger Microprobe)では、固体試料に細く絞った電子線を照射し、表面から数nm(ナノメートル)内の深さから発生するオージェ電子のエネルギー分光を行うことにより、二次電子像観察(SEM観察)しながら表面の局所領域に存在する元素の種類(水素,ヘリウムを除く)とおおよその量を分析できます。

イオンビームスパッタエッチングの併用による深さ方向元素分布や、平面や断面の元素マップ等も取得でき、金属,半導体などの腐食,変色,接合性,薄膜,拡散,異物などの問題解決に威力を発揮します。

 AES説明資料 (308 KB/A4, 2 pages)

お問い合わせボタン 044-280-9948

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AESを用いた受託分析事例

金属表面異常部の元素分析

低倍率SEM像

低倍率の二次電子像

高倍率SEM像

高倍率の二次電子像

金属表面のAESスペクトル

正常部(上)と異常部(下)のAES定性分析結果

異常部には窒素と炭素に塩素と酸素を含む異物が付着していることが分かった。なお、AESでは水素は検出できない。工程を調査した結果、他工程から混入したものと判明した。



配線表面汚染部の元素分布

配線パターンのSEM像と炭素マップ

配線パターンのSEM像と炭素元素マップ

配線パターンの表面がカーボン(炭素)を主成分とする有機物により汚染されていることが分かった。



半田バンプ表面の深さ方向分析

正常なバンプのSEM像

真丸いはんだバンプの二次電子像

くぼんだバンプのSEM像

窪んだはんだバンプの二次電子像

バンプ表面のAESデプスプロファイル

はんだバンプ表面のAES深さ方向分析結果

窪んだバンプは、表面の酸化膜厚が丸いバンプよりも厚いことが判明した。



半田バンプ断面の線分析・面分析

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断面のSEM像
  断面の錫(Sn),ニッケル(Ni),リン(P)の線分析結果
断面のAESラインプロファイル
  断面の錫(Sn),ニッケル(Ni),リン(P)の面分析結果
研磨断面の元素マップ

ニッケルの半田への拡散や、リンの錫/ニッケル界面での偏析を確認できる。


マイクロカプセル型異方導電性接着剤による接合界面の分析

異方導電性接着剤接合界面の分析


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