GTM-MML4VXJ
Skip to main content

富士通クオリティ・ラボ

English

Japan

  1. ホーム >
  2. 製品・サービス >
  3. 金属薄膜デバイスの解析

MRAM解析事例 -TEM断面分析-

材料分析」に戻る

MRAMのTEM分析

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory:磁気抵抗メモリ)は不揮発性で動作が高速であることから、次世代メモリとして研究開発が進められており、製品も出荷されています。

MRAMにおいて情報を記録する部分は、数nm厚の薄い磁性薄膜の積層構造をしています。この積層構造の解析には、TEM(Transmission Electron Microscope:透過型電子顕微鏡)-EDX (Energy Dispersive X-ray spectroscopy) 分析を用います。

当社では、高分解能TEM観察とEDX分析を組み合わせて金属薄膜デバイスの各層の材料や層厚等の層構造を調査することについて、豊富な経験・ノウハウを有しています。

高分解能TEM観察

TEMでは、原子の並びの縞模様(格子縞)が見える倍率で、対象を観察できます。これにより、各層の厚さ等を解析します。

EDX分析

観察対象に照射した電子により発生する特性X線のエネルギーにより、元素を特定します。下図は、赤線で囲った範囲における元素の分布を調査したものです。

また、特定の位置(スポット)における組成を調査することもできます。

MRAMの分析箇所を示す写真

お問い合わせ・お見積りは無料です。お気軽に お問い合わせページ からご連絡ください。

お問い合わせ

富士通クオリティ・ラボ株式会社  

受付時間 : 平日9時~17時(土曜・日曜・祝日・当社指定の休業日を除く)

このページに関するお問い合わせ

icon-telephone 電話 : 044-280-9948

icon-mail E-mail : fql-evaluation@cs.jp.fujitsu.com

GTM-W2C3MP