プローブカード基板

超微細配線、多層複合構成やF-ALCS(エフアルシス)等の最先端の有機プリント基板技術で、 高い信号品質を推持しつつ、10,000ネットを超える大容量の配線収容を実現します。

お困りを解決します

私たちは、半世紀にわたる多層プリント配線板技術と最先端の高密度・高速伝送技術で、半導体デバイステストでのお客様のお困りを解決します。

もっと配線収容量が欲しい

全層IVH技術適用で、飛躍的な配線収容能力と、自由な部品配置を実現。
F-ALCS技術を適用することで、従来比で2倍以上、35,000本以上の配線が収容可能に。


一般基板 F-ALCS適用
基板サイズ φ440mm
基板仕様 貫通 → 全層IVH
層数 90層 → 52層
板厚 8.0mm → 6.2mm
DUT数/ピン数 900 / 19,400
周辺部品数/ピン数 3,600 / 37,000
ネット数(S/V/G) S:12,500 / V:300 / G:1
配線数(S/V/G) S:26,300 / V:7,000 / G:18,500

F-ALCS技術で、38層削減(▲43%)
一体化基板での配線収容を実現。

製造期間が短いプリント基板が欲しい

全層IVHの一括積層技術で、製造納期短縮を実現
革新的なF-ALCS技術により製造工数を50%削減し、製造納期短縮。

<全層IVH一括積層技術 新プロセスフロー>

一般IVH基板とエフアルシス基板のプロセスステップ数の比較イメージ

<F-ALCS技術適用基板の断面(全層IVH)>

F-ALCS技術適用基板の断面写真(全層IVH)

大幅な配線収容を実現しながら、
工程数を削減し、製造期間を短縮

500mmサイズで表裏に部品を搭載したい

大型基板(>500mm)向けのIVH技術を適用することにより、貫通ビアによる表裏への部品搭載の制約や配線収容密度の制約から解放。

IVH基板のイメージ写真

大型基板(>500mm□)向けにIVH技術を適用し高密度化を実現

半導体デバイステストでのお客様のお困りを
富士通インターコネクトテクノロジーズが解決します!

デバイス別適用技術

ウェハーの大型化や同測デバイス数の増加により、大型で配線収容能力の高いプローブカード用基板の需要が増加しています。最先端のウェハー テストで求められる特性要求に多彩なスタブレス・ビア構造や高周波回路技術でお応えします。

1. 適用技術

同時に測定する素子数の増加や端子の狭ピッチ化など、プローブカードへの要求仕様は高度化しており、多彩な技術で対応します。

Pin数(DUT数)と配線収容量の相関を示すグラフ画像
(注)DUT(Device Under TEST): 被測定素子

2. 基板構造別特徴

高度化する各種仕様要求に、多彩な基板構造をご提案します。

<基板構造ごとの特徴(当社比)>

貫通基板構造 IVH 構造
(Buildup, 貼合せ)
F-ALCS適用
全層IVH構造
リードタイム 基準 やや劣る 基準と同等
設計性 基準 やや良い 非常に良い
実装性 基準 基準と同等 非常に良い
高速伝送性 基準 やや良い 非常に良い

お客様のご要望に最適な基板構造でご提案します。

3. 素子別基板構造

今後の半導体素子の高速化、狭ピッチ化、同時測定数の増加など、多様化するプローブカード基板へのご要望に、多彩な技術ラインアップで対応します。

<被測定素子とプローブカードの基板構造>

通常タイプ インターポーザ・タイプ
(Multi Layer Organic PCB)
貫通多層・Buildup構造 IVH 構造
(Buildup, 貼合せ)
F-ALCS構造 IVH 構造
(Buildup, 貼合せ)
F-ALCS構造
NANDフラッシュメモリ やや劣る 良い より良い より良い
DRAMメモリ やや劣る やや劣る より良い より良い
システム LSI(SI), アプリケーション・プロセサ (AP) やや劣る 良い より良い 良い より良い
イメージセンサー(CIS) 良い 良い より良い やや劣る より良い

一体型プローブタイプとインターポーザ・タイプの解説イメージ

被測定素子毎の個別要望にも、
最適なプローブカード用基板構造をご提案します。

最先端のデバイステストは、
富士通インターコネクトテクノロジーズにお任せください!

適用事例

プローブカードへの有機プリント基板での適用事例を、ご紹介します。

フラッシュメモリ測定用有機プローブカード基板

層構成 57層(F-ALCS技術適用)
基板サイズ、厚さ φ480mm, 6.2mm
ネット数(信号), 抵抗(信号) 20,700wires, R<2.0Ω

フラッシュメモリ測定用有機プローブカード基板のイメージ写真

メモリー用有機プローブカード基板

層構成 74層(F-ALCS技術適用)
基板サイズ、厚さ φ520mm, 7.4mm
ネット数(信号) 30,000wires(Signal)

メモリー用有機プローブカード基板のイメージ写真

ロジックIC測定用有機プローブカード基板
(インターポーザ・タイプ、Multi Layer Organic PCB)

層構成 42層(7層+28層
(F-ALCS)+7層)
基板サイズ、厚さ 100×100mm, 2.7mm
ネット数, パッドピッチ,
抵抗(信号)
500nets/DUT, 125µm,
R<2.0Ω

ロジックIC測定用有機プローブカード基板(インターポーザ・タイプ、Multi Layer Organic PCB)のイメージ画像

ロジックIC測定用有機プローブカード基板
(インターポーザ・一体化タイプ)

層構成 76層(11-14-11層 + 40層)
基板サイズ、厚さ φ280mm, 9.56mm
ネット数(信号), 端子ピッチ 750nets/DUT(Signal), 125µm

ロジックIC測定用有機プローブカード基板(インターポーザ・タイプ)のイメージ写真

関連製品技術

F-ALCS(エフアルシス)技術

同時に測定する素子数の増加で、プローブカードへの配線収容力の強化が望まれる一方で、短納期製造が望まれています。
当社では、プローブカード基板へのこれらのご要望に対応して、F-ALCS技術を適用した基板構造を実現した多彩な製品ラインアップで対応します。

一般IVH構造とエフアルシス基板における、実装エリア、配線エリアの比較イメージ

F-ALCS技術によるメッキレス全層IVH製法により、飛躍的に配線収容能力が向上し、一括積層方式のため、同時に短納期製造を実現できます。

メモリー用有機プローブカード基板のイメージ写真

プローブカード等に代表される超高密度な配線パターンの
収容要求にお応えします。

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