GTM-MQNC2Z4
Skip to main content

FRAM Обзор

FRAM Non-volatile memory for batteryless solution Fujitsu стремится вперед вместе с клиентами, приветствующими инновации

Что такое FRAM?

FRAM (Сегнетоэлектрическое ОЗУ) – энергонезависимая память произвольного доступа, способная хранить данные даже при отключении питания. Производительность FRAM превосходит традиционные энергонезависимые типы памяти, такие как EEPROM (ЭСППЗУ – электрически стираемое программиру- емое постоянное запоминающее устройство) и флэш-память, по скорости записи, ресурсу циклов чте- ния/записи и низкому энергопотреблению.
Начиная с 1999 года, то есть уже более 15 лет, компания Fujitsu Semiconductor является надежным поставщиком высококачественных продуктов на основе памяти FRAM для своих заказчиков.

Свойства FRAM

  • Энергонезависимость
  • Произвольный доступ
  • Высокая скорость записи
  • Большое число циклов чтения/записи
  • Низкое энергопотребление

Сравнение FRAM с другими типами памяти

Примеры применения модулей памяти FRAM

FRAM является идеальным вариантом энергонезависимой памяти для различных задач, благодаря своему высокому быстродействию, низкому энергопотреблению, очень высокой скорости записи и огромному гарантируемому числу циклов чтения/записи - до 10 триллионов. Память FRAM способна защитить данные даже в случае внезапного отключения питания, поэтому наши продукты рекомендованы к использованию в оборудовании, требующем высокой надежности: устройства измерения напряжения, промышленная автоматика и оборудование финансовых организаций.
Также память FRAM часто используется для ведения журналов данных и хранения настроек.

Линейка продуктов

Компания Fujitsu Semiconductor предлагает продукты с памятью FRAM с широким диапазоном плотности записи данных: от 4 Кбит до 1Mбит для интерфейса I2C и от 16 Кбит до 2 Mбит для интерфейса SPI. Модули памяти для обоих интерфейсов, I2C и SPI поставляются в корпусе SOP-8, благодаря чему возможно легко заменить память EEPROM или Flash на модуль памяти FRAM. Это облегчает разработку печатных плат, одновременно способствуя повышению производительности. Для модулей с параллельным интерфейсом доступны плотности записи от 256 Кбит до 4 Мбит. Эти продукты подходят для задач, где требуется удаление батареи питания при использовании памяти SRAM.
Стремясь удовлетворить запросы тех клиентов, которым требуется высокая плотность записи, компания Fujitsu планирует расширить свою линейку продукции модулями памяти с большой плотностью битов.

ДИСТРИБЬЮТОРЫ РОССИИ (кликните сюда)

Related Links (in English)

FRAM Sample/Document Request & Inquiry Form

Sample/Document Request
For requests of evaluation samples, and/or
documents such as datasheets, brochure

Inquiry
For general questions, such as technical
inquiry, sample availability, pricing

GTM-MMQ934