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富士通电子推出可在高温下稳定运行的新款2Mbit FRAM

这款非易失性内存是高端汽车市场高级驾驶辅助系统(ADAS)的理想之选

富士通电子元器件(上海)有限公司

上海, 2020-05-11

富士通电子元器件(上海)有限公司近日宣布,推出型号为MB85RS2MLY的全新2Mbit FRAM,可在125℃高温度下正常运行。该器件工作电压可低至1.7V至1.95V,配有串行外设接口(SPI)。目前可为客户提供评测版样品,将在6月实现量产。

图1:MB85RS2MLY 8pin DFN 封装

图2:应用实例(ADAS)

图3:8pin DFN和8pin SOP封装

这款全新FRAM产品是汽车电子电控单元的最佳选择,满足高端汽车市场对低功耗电子器件的需求,如ADAS。

FRAM的读/写耐久性、写入速度和功耗均优于EEPROM和闪存,已有对传统非易失性内存性能不满意的客户采用我们的FRAM。 

自2017年以来,富士通电子不断推出工作电压3.3V或5V的64Kbit~2Mbit的汽车级FRAM产品。但高端汽车电控单元的推出,使得一些客户开始要求FRAM的工作电压低于1.8V。富士通电子近日推出的这款全新FRAM正是为了满足这一市场需求而面世的。 

MB85RS2MLY在-40°C至+125°C温度范围内可以达到10兆次读/写次数,适合某些需要实时数据记录的应用,比如连续10年每天每0.1秒记录一次数据,则写入次数将超过30亿。另外,这款产品可靠性测试符合AEC-Q100 Grade 1标准,达到汽车级产品的认证标准。因此,在数据写入耐久性和可靠性方面,富士通电子最新推出的这款FRAM完全支持ADAS等需要实时数据记录的应用。 

这款FRAM产品采用业界标准8-pin SOP封装,可轻松取代现有类似引脚的EEPROM。此外,还提供外形尺寸为5.0mm x 6.0mm x 0.9mm的8-pin DFN(无引线双侧扁平)封装。

除2Mbit FRAM,富士通电子目前正在研发125°C温度系列容量为4Mbit的存储产品。富士通电子将继续提供内存产品和解决方案,满足市场和客户的未来需求。

关键规格

  • 组件型号:MB85RS2MLY 
  • 容量(组态):2 Mbit(256K x 8位) 
  • 接口:SPI(Serial Peripheral Interface) 
  • 运作频率:最高50 MHz 
  • 运作电压:1.7伏特 - 1.95伏特 
  • 运作温度范围:摄氏零下40度 - 摄氏125度 
  • 读∕写耐用度:10兆次 (1013次) 
  • 封装规格:8-pin SOP与8-pin DFN 
  • 认证标准:符合AEC-Q100 Grade 1

词汇与备注 

注一:铁电随机存取内存(FRAM) 

FRAM是一种采用铁电质薄膜作为电容器以储存数据的内存,即便在没有电源的情况下仍可保存数据。FRAM结合了ROM和RAM的特性,并拥有高速写入数据、低功耗和高速读/写周期的优点。富士通自1999年即开始生产FRAM,亦称为FeRAM。

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关于富士通电子元器件(上海)有限公司

富士通电子元器件(上海)有限公司是富士通在中国的半导体业务总部,于2003年8月成立,在北京、深圳、大连等地均设有分公司,负责统筹富士通在中国半导体的销售业务。
       富士通电子元器件(上海)有限公司的主要销售产品包括 Custom SoCs (ASICs), 代工服务,专用标准产品(ASSPs),铁电随机存储器,继电器,GaN(氮化镓),MCU和电源功率器件等,它们是以独立产品及配套解决方案的形式提供给客户,并广泛应用于高性能光通信网络设备、手持移动终端、影像设备、汽车、工业控制、家电、穿戴式设备、医疗电子、电力电表、安防等领域。欲了解更多信息,请访问网站: http://www.fujitsu.com/cn/fes/

Candy Yang

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邮箱: 邮箱:fss.marcom@cn.fujitsu.com
公司:富士通电子元器件(上海)有限公司
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文中提及的公司名称和产品名称是其所有者的商标或者注册商标。该新闻稿中的信息在发布时准确无误,可能随时发生变化,恕不先行通知。

新闻ID: 2020-05-11
日期: 2020-05-11
城市: 上海
公司: 富士通电子元器件(上海)有限公司