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富士通半导体推出新型1 Mbit 和 2 Mbit FRAM产品

-提高了设备的电源效率,小型化,适用于智能电表、工业设备和医疗器械-

富士通半导体(上海)有限公司

上海, 2013-03-25 富士通半导体(上海)有限公司今日宣布推出两款新型FRAM产品-MB85RS1MT 和 MB85RS2MT,两款产品分别带有1 Mbit 和 2 Mbit的存储器,是富士通半导体提供的最大密度容量的串口FRAM。2013年3月起开始提供新品样片。
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图1. MB85RS1MT/MB85RS2MT

    两款新型产品保证有10万亿次的读写次数,大约是现有芯片的10倍,适合用于智能电表、工业机械和医疗设备。与密度相同的EEPROM相比,写入时可减少92%的功耗。另外,由于新款FRAM可以把所有系统存储器器件(主要包括EEPROM、SRAM和用于保持数据的电池)所需的技术集成到单一芯片上,因此可大幅降低器件成本,占板面积和功耗。这相应地极大地有助于开发小型和节能设备,使维修更加简易,因此不再需要备用电池。

     FRAM具有两种特性:非易失性,即使关闭电源也能保存数据;随机存取,可以快速写入数据。即使发生突然电源故障和停电时,FRAM也可以安全存储正在写入的数据,所以可以在断电前保证立刻保护芯片信息和存储数据。凭借该能力,自从1999年量产后,富士通半导体的FRAM产品一直广泛应用于工厂自动化设备、测量设备、银行终端、医疗设备等。
     作为对其FRAM 产品阵容的更新,富士通半导体最近开发了MB85RS1MT (1 Mbit) 和 MB85RS2MT (2 Mbit),代表公司迄今为止带有SPI 串口的最高密度的FRAM产品。公司保证读写次数提高到10万亿次,是富士通现行FRAM产品的10倍,因此可为实时连续数据记录提供更好的支持。
     对于包括智能电表和其它测量设备及工业机械和医疗设备(如助听器)-所有的这些设备都需要带串口的1-2 Mbit 非易失存储器-现在可以使用富士通半导体的新型FRAM产品取代传统的EEPROM。在快速写入方面的改善可以使性能更高,同时可使由于电压突然下降或者停电引起的数据丢失风险降至最低。针对写入时所消耗的电量,新产品比EEPROM少消耗92%的电量,可以延长电池寿命。
     展望未来,富士通半导体将继续提供解决方案,帮助客户提高终端产品的性能,促进客户现场设备的维护,并最大程度地降低风险。 

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图 2. 读写次数比较 图 3.功耗比较
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图 4. 占板面积比较

样片发布日程

产品名称 发布日期
MB85RS1MT 2013年3月底
MB85RS2MT 2013年3月底

关于样片价格,请咨询当地销售代表。

关于富士通半导体(上海)有限公司

富士通半导体(上海)有限公司是富士通在中国的半导体业务总部,于2003年8月成立,在北京、深圳、大连、厦门、西安、青岛及武汉等地均设有分公司,负责统筹富士通在中国半导体的销售、市场及现场技术支持服务。
富士通半导体(上海)有限公司的产品包括专用集成电路(ASIC)、单片机(MCU)、专用标准产品(ASSP)/片上系统(SoC)和系统存储芯片,它们是以独立产品及配套解决方案的形式提供给客户,并应用于广泛领域。在技术支持方面,分布于上海、香港及成都的IC设计中心和解决方案设计中心,通过与客户、设计伙伴、研发资源及其他零部件供应商的沟通、协调,共同开发完整的解决方案,从而形成一个包括中国在内的完整的亚太地区设计、开发及技术支持网络。
如需更多资讯,请浏览:http://www.fujitsu.com/cn/about/local/subsidiaries/fss/

企业策划及市场营销:曹淼

电话: 电话: +86 21-6146 3688
邮箱: 邮箱:fss.marcom@cn.fujitsu.com
公司:富士通半导体(上海)有限公司

市场部:蔡振宇

电话: 电话: 86 21-6146 3688
邮箱: 邮箱:Eric.Cai@cn.fujitsu.com
公司:富士通半导体(上海)有限公司

联系人:乔治

电话: 电话: 86 10-5207 8015
邮箱: 邮箱:george.qiao@geomatrixpr.com
公司:仁治时代公关


文中提及的公司名称和产品名称是其所有者的商标或者注册商标。该新闻稿中的信息在发布时准确无误,可能随时发生变化,恕不先行通知。

新闻ID: 2013-03-25
日期: 2013-03-25
城市: 上海
公司: 富士通半导体(上海)有限公司