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富士通半导体推出基于0.18 µm 技术的全新 SPI FRAM

富士通半导体(上海)有限公司

上海, 2011-07-19 富士通半导体(上海)有限公司今日宣布推出基于0.18 µm 技术的全新 SPI FRAM产品家族,包括MB85RS256A,MB85RS128A和MB85RS64A这3个型号,并从即日起开始为客户提供样片。
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FRAM (Ferroelectric Random Access Memory 铁电随机存储器) 将SRAM 的快写与闪存的非易失性的优势集中在一块芯片上。全新的SPI FRAM家族MB85RSxxx包括3个型号:MB85RS256A,MB85RS128A和MB85RS64A,分别代表 256Kbit,128Kbit和64Kbit三个密度级。3个芯片的工作电压范围在3.0 ~ 3.6V,读写周期为10billion次,数据保存在55°C的条件下可达10年。其工作频率已经大幅提高到最大25MHz。因为FRAM产品在写处理 时无需电压增压器,很适合低功率应用。该产品提供具有标准存储器引脚配置的8引脚封装,完全兼容E2PROM芯片。

SPI FRAM产品阵容

产品型号 存储器容量 电源电压 工作温度 写/擦次数 数据保持 封装
MB85RS256A 256K bit 3.0—3.6v -40—85 100亿次 10年 SOP-8
MB85RS128A 128K bit 3.0—3.6v -40—85 100亿次 10年 SOP-8
MB85RS64A 64K bit 3.0—3.6v -40—85 100亿次 10年 SOP-8

凭借公司内部的开发和制造,富士通半导体可更加优化设计和工厂间的密切合作。这为向市场稳定地提供实质性的高质量产品打下了基础。

除 SPI FRAM家族之外,富士通还提供带I²C和并行口的FRAM独立芯片。密度级从16Kbit到4Mbit不等。此外,富士通还计划进一步扩展FRAM组合以满足市场需求。

FRAM独立存储芯片可广泛用于计量、工厂自动化应用以及各产业部门等需要数据采集、高速写入和耐久性的行业。对客户来说,FRAM不但可取代所有使用电池支持的解决方案,还是一款非常环保的产品。

市场部:蔡振宇

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公司:富士通半导体(上海)有限公司

企业策划及市场营销:曹淼

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公司:博达公关


文中提及的公司名称和产品名称是其所有者的商标或者注册商标。该新闻稿中的信息在发布时准确无误,可能随时发生变化,恕不先行通知。

新闻ID: 2011-07-19
日期: 2011-07-19
城市: 上海
公司: 富士通半导体(上海)有限公司