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富士通和爱普生宣布将联合开发下一代FRAM非易失存储器技术

富士通微电子(上海)有限公司

2005-07-07

富士通公司和精工爱普生公司近日宣布,双方已签署协议将联合开发下一代铁电随机存储器(Ferroelectric Random Access Memory, FRAM(1))非易失存储器(2)技术。

根据协议,双方计划研制一种高集成度的下一代FRAM,其组件面积将只有目前市场上销售的常规FRAM的1/6,研发计划预计将于2006年上半年完成。同时,富士通和爱普生还计划开发一种存储器核心处理技术,其特点是对于可执行的读写周期的限制达到了最小。

近年来,便携式信息设备和智能家用电器都变得越来越先进,导致FRAM非易失存储器的需求量迅速攀升,因为这种存储器能够满足一系列非常广泛的市场需求,例如,与闪存(3)和电可擦除只读存储器(Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory, EEPROM(4))相比,这种存储器具有低能耗、快速读写的特点。 除了只读存储器(ROM)所具有的功能外,FRAM还具有非易失随机存储器(RAM)的功能,因此能够成为目前市场上的最佳存储设备之一,并成为系统大规模集成电路(LSIs)的理想存储器解决方案。

富士通和爱普生计划通过联合开发下一代FRAM技术,将彼此的重要技术(如FRAM材料和微型化制程)结合起来,以此来达到缩短开发周期的目的。


关于爱普生公司

爱普生是世界领先的数码影像企业,主要产品包括打印机,投影机以及液晶显示设备。爱普生通过富有创新和创造力的企业文化,致力于为世界各地的用户提供超越他们期待、开阔他们视野的产品与解决方案。爱普生产品以其卓越的品质、性能、精巧设计和节能而享誉世界。

爱普生集团在全球建有115个公司,员工总数达到85,647人。爱普生为全球环境及其公司所在地区的社区发展都不断作出贡献,并以此为荣。在总部设于日本的精工爱普生株式会社的领导下,爱普生集团2004财年的销售额达到了14,797亿日元。


  • [1] FRAM (铁电随机存储器):

    一种运用电容器上的铁电薄膜来保存数据的非易失存储器。这种存储器技术融合了ROM和RAM的优点,如快速数据读写功能\低能耗以及几乎不受限制的读写周期。

  • [2] 非易失存储器:

    一种即使在断电的情况下也能保存数据的存储器。

  • [3] 闪存:

    一种能够整区块擦除及再存写的只读非易失存储器。

  • [4] EEPROM (电可擦除只读存储器):

    一种可用电擦除及再存写的只读非易失存储器。

关于富士通公司

富士通是全球以客户为导向的IT及通讯解决方案的领先供应商。富士通拥有先进技术、高度可靠的运算及通讯平台、及全世界的系统及服务专家,是唯一能提供广泛的解决方案,为顾客的成功开启无限可能的公司。富士通公司(TSE:6702)总部设于东京,2005年3月31日会计年度结束时收益为4.7兆日元(445亿美元)。欲了解更多信息,请访问网站:www.fujitsu.com

公司:Fujitsu Limited
Public and Investor Relations

邮箱: 邮箱:edevice@fujitsu.com
公司:Fujitsu Limited
FRAM Products & Solutions Marketing Dept. Marketing & Business Development Div. Electronic Devices Business Group

Website:http://www.epson.co.jp/e/
公司:Seiko Epson Corp.
Public Relations and Brand Strategy
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FRAM是美国瑞创国际公司的注册商标。
内文中所提及的公司名称或产品名称都是隶属于各公司的注册的商标。

新闻ID: 2005-07-07
日期: 2005-07-07
公司: 富士通微电子(上海)有限公司