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存儲器産品

FRAM FRAM

FRAM(鐵電記憶體)具有像E2PROM一樣的非揮發性的優勢 ,在沒有電源的情況下可以保存資料,用於資料存儲。FRAM具有兩個產品系列,序列介面(I2C,SPI)和並列介面產品。採用串列I/F的FRAM可以用來替代E2PROM或串列快閃記憶體,而採用並列I/F的產品可以用來替代低功耗SRAM或Pseudo SRAM (PSRAM)。

可變電阻式隨機存取記憶體(ReRAM) reram-overview

ReRAM是一種非揮發性記憶體,其透過向金屬氧化物薄膜施加脈衝電壓,產生巨大的電阻差值來存儲“0”和“1”。 其結構非常簡單,兩側電極將金屬氧化物夾於中間,這簡化了製造工藝,同時可實現低功耗和高速讀寫等卓越效能。 此記憶體具備業界最低讀取電流,非常適用於穿戴式裝置和助聽器。