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富士通成功開發資料傳輸速度高達每秒54 MB的4 Mbit四線 SPI FRAM

以高速運算改善網路裝置效能的非揮發性記憶體

富士通電子亞太有限公司

台北, 2016-03-01

香港商富士通亞太電子有限公司台灣分公司今日宣布，富士通成功開發具有 4 Mbit記憶容量的全新FRAM (鐵電隨機存取記憶體) (註1)產品MB85RQ4ML，此產品於四線SPI介面非揮發性RAM市場中擁有最高密度，並開始以樣本量供貨。

MB85RQ4ML採用單一1.8V電源供電，使用具有四個I/O pin的四線SPI介面，並能達到每秒54 MByte的資料傳輸速率。

此產品具高速運算能力與非揮發性記憶體特性，因此特別適用於網路建置、RAID控制器及工業運算等領域。

富士通充分運用FRAM的非揮發性、高速讀寫週期、高讀寫耐用度及低功耗特性，為穿戴式市場及物聯網市場帶來使用FRAM的免電池解決方案。

為滿足市場對非揮發性RAM介面速度提升的迫切需求，富士通目前已成功開發MB85RQ4ML 4Mbit FRAM，在FRAM產品線中擁有最高資料傳輸速度(圖1)。

圖一：採用16-pin SOP的MB85RQ4ML

此產品採用單一1.8V電源供應器及四線SPI介面，能以108 MHz運作頻率達到每秒54 MB的資料傳輸速度。相較以往富士通產品中，採用44-pin TSOP封裝中，擁有16-bit平行介面的4Mbit FRAM，其傳輸速度最快，為每秒13 MB，而此全新產品的資料讀寫速度領先前者將近四倍之高，且所用腳位更少 (圖2)。

圖二：資料傳輸率比較

此產品特別適用於必須持續重寫設定資料的網路設備，如路由器等。其定位介於資料儲存用的高密度非揮發性記憶體與高速作業記憶體之間，並以高速存取及資料備份支援資料重寫 (圖3)。

圖三：記憶體於網路裝置的使用案例

仰賴巨量資料處理能力的物聯網市場，隨著資料處理量不斷增加，記憶體亦必須頻繁地執行資料重寫；此外，從安全觀點來看，保留存取記錄也將更受到重視。有鑑於此，此產品能透過保留網路領域中存取資訊而促進設備效能的改善。

富士通將持續提供產品及解決方案，為客戶帶來更具價值且更加便利的應用。

產品規格
元件料號：MB85RQ4ML
記憶體密度(組態)：4Mbit (512K字元x 8位元)
介面：SPI/Quad SPI
運作電壓： 1.7 – 1.95伏特
保證讀/寫週期：10兆次
資料保留：10年 (85度時)
封裝：16-pin SOP

詞彙與備註
1. 鐵電隨機存取記憶體 (FRAM)
FRAM是一種採用鐵電質薄膜作為電容器以儲存資料的記憶體，即便在沒有電源的情況下仍可保存資料。FRAM結合了ROM和RAM的特性，並擁有高速寫入資料、低功耗和高速讀/寫週期的優點。富士通半導體自1999年即開始生產FRAM，亦稱為FeRAM。

關於香港商富士通亞太電子有限公司台灣分公司
(FUJITSU ELECTRONICS PACIFIC ASIA LTD, TAIWAN BRANCH)

香港商富士通亞太電子有限公司台灣分公司為富士通電子事業體系之一員，主要負責富士通電子在台灣市場半導體的銷售業務，提供廣泛且多元化的產品系列與配套解決方案。主要銷售產品包括：Customized SoC (ASIC)、代工服務、特定應用標準產品（ASSP）、鐵電記憶體、繼電器、GaN（氮化鎵）、MCU和電源功率器件等，以獨立産品及配套解决方案的形式提供給客戶，並廣泛應用於高效能光通訊網絡設備、終端行動裝置、影像設備、汽車、工業控制、家電、穿戴式設備、醫療電子、電力電錶、安防等領域。有關詳細公司資訊，請瀏覽 http://www.fujitsu.com/tw/fep/ 網站。

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Press Release ID: 2016-03-01
Date: 2016-03-01
City: 台北
Company: 香港商富士通亞太電子有限公司台灣分公司

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