GTM-MML4VXJ
Skip to main content

FAQ - よくある質問と回答

サンプルのWeb販売

データシートのダウンロード

FRAMお問い合わせフォーム

製品一般

競合製品との比較

SRAMとの比較

EEPROM、フラッシュメモリとの比較

その他のメモリ

製品の特性 / 仕様 / サポート

書換え保証

データリテンション

その他


製品一般

Q 質問 FRAMとはなんですか?

A 回答 FRAMは、「Ferroelectric Random Access Memory」の略で、データを記憶する材料に強誘電体を使用した不揮発性メモリです。 ROMとRAMの両方の性質を併せ持ち、高速書込み・高書換え耐性(多書換え回数保証)・低消費電力の特長があります。
FRAMの詳細な説明については、当社 FRAMウェブサイトをご覧ください。

Q 質問 FRAMの採用実績はありますか?

A 回答 当社のFRAMは1999年から量産品を供給しており、豊富な量産実績があります。 当時から今日まで、継続的にお客様に採用されています。

Q 質問 FRAMはどんな用途に使われていますか?

A 回答 メモリサイズが中小容量で、頻繁なデータの書込みが必要な用途に採用されています。 例えば、OA機器(MFPのカウンタ、印刷記録)、FA機器(計測装置や分析装置のパラメータやデータログ)、金融端末(取引履歴)、インフラの計測機器(電力メータ)、カーナビやオーディオ(電源オフ直前のレジュームデータ)があります。 その他の用途は、当社 FRAMウェブサイトをご覧ください。

Q 質問 FRAMは良くわからないので、使うのに難しそうです。

A 回答 使い方は難しくありません。 シリアルインタフェース製品は、従来のシリアルEEPROMやシリアルフラッシュメモリと使い方は同等です。 また、パラレルインタフェース製品は、中速SRAM(疑似SRAMやバッテリバックアップSRAM)と使い方は同等です。

Q 質問 FRAM, F-RAM, FeRAMは同じものですか?

A 回答 はい、すべて強誘電体メモリの「Ferroelectric Random Access Memory」のことを指しています。

Q 質問 FRAMのサンプルを評価してみたいのですが、どこから入手できますか?

A 回答 FRAMウェブサイトの サンプルのWeb販売営業拠点、または、お問い合せのリンク先経由で入手できます。

Q 質問 FRAMの説明資料や紹介資料はありますか?

A 回答 はい、あります。 FRAMカタログは、こちらのカタログサイトから入手できます。 また、データシートは、こちらのデータシートサイトからダウンロードできます。 さらに詳細な説明資料もありますので、当社営業部門またはFRAMウェブサイトの 問い合わせフォーム経由でご請求ください。

Q 質問 どこで製造していますか?ファウンドリですか?

A 回答 弊社グループ会社の会津富士通セミコンダクター株式会社で製造しています。

Q 質問 もっと詳しい話しを聞きたいのですが、説明していただけますか?

A 回答 はい。 当社営業部門または、FRAMウェブサイトの 問い合わせフォーム経由でお問い合わせください。

Q 質問 FRAMは1社供給ですか?他に供給しているサプライヤはありますか?

A 回答 他にも数社、国内外にサプライヤがいます。

競合製品との比較

SRAMとの比較

Q 質問 疑似SRAMの置き換え品を探していますが、パラレル品のFRAMは置き換えできますか?

A 回答 一部の品種は完全互換ではありませんが、パラレル品のFRAMはSRAMインタフェースですので、置き換えのソリューションを提案することができます。実際に、データ保持のバッテリを無くしたいお客様に対して、FRAMへの代替ソリューションを採用いただいた例があります。当社営業部門またはFRAMウェブサイトの 問い合わせフォーム経由でお問い合わせください。

EEPROM、フラッシュメモリとの比較

Q 質問 FRAMはEEPROMと比べて、値段は高いですか?

A 回答 価格の詳細については、当社営業部門またはFRAMウェブサイトの 問い合わせフォーム経由でお問い合わせください。

Q 質問 FRAMはEEPROMと置き換えできますか?

A 回答 はい。FRAMの8ピンSOPはEEPROMとパッケージ互換ですので、実装基板の配線やフットプリントの変更無しで置き換え可能です。FRAMの使用をご検討の場合は、当社営業部門またはFRAMウェブサイトの 問い合わせフォーム経由でお問い合わせください。

Q 質問 FRAMは、NANDフラッシュと置き換えできますか?

A 回答 書換回数が10 13回(10の13乗回)あるFRAMではウェアレベリングが必要ありませんので、お客様の使用用途によっては大容量NANDフラッシュを中低容量のFRAMで置き換え可能な場合があります。FRAMの使用をご検討の場合は、当社営業部門またはFRAMウェブサイトの 問い合わせフォーム経由でお問い合わせください。

Q 質問 FRAMは、不揮発性メモリの中では高速書込みできるそうですが、どのくらい速いのですか?

A 回答 代表的な製品群で言うと、FRAMの書込み速度は150nsなのに対して、EEPROMは10ms、フラッシュメモリは10usです。すなわち、FRAMはEEPROMの約7万倍の速さです。その理由は、EEPROMやフラッシュメモリでは、書込みを実行する前に、バイト消去やセクター消去など時間がかかる「消去」動作が必要なためです。FRAMは消去不要で、SRAMのように重ね書きができるため書込み速度が速いのです。

Q 質問 シリアルメモリとは何ですか?I 2CインタフェースとSPIの違いは?

A 回答 当社のFRAMでは、シリアルバスのインタフェース(I 2CとSPI)を持つメモリをシリアルメモリと呼んでいます。シリアルバスとは、データの入出力を1ビットずつ連続的に行う通信方式です。なお、パラレルバスとは、8ビット, 16ビット, 32ビットなど複数ビット分のデータを同時に入出力する通信方式です。I 2Cインタフェースは、アドレスおよびデータを制御する「SDA」とクロックを制御する「SCL」の2本の信号線のみで制御するインタフェースです。一方で、SPIは、クロック「SCK」、アドレスやデータの入力「SI」、データの出力「SO」、チップセレクト「CS」の4本の信号線で制御するインタフェースです。
このようにシリアルバスはパラレルバスに比べて配線数を大幅に削減できますので、お客様のシステムコストを削減することが出来ます。

その他のメモリ

Q 質問 ReRAM, MRAM, NVRAMとの違いは何ですか?

A 回答 ReRAMは読出し電流が低いことから、頻繁にプログラムを読み出す用途に最適です。弊社では、補聴器やウェアラブルデバイスをターゲットアプリに提案しています。MRAMは書込みスピードが高速なメモリです。ただし、書込み電力が高いため発熱しやすく、 さらに磁場の影響を受けやすいため、産業用途での使用は注意が必要です。NVRAMは、電源断時のデータ保証のために外付けのキャパシタやバッテリーが別途必要になります。FRAMよりBOMコストが上がる場合があります。

Q 質問 次世代メモリのNRAMとは何ですか?

A 回答 CNT(カーボンナノチューブ)を使った不揮発性メモリです。詳細は プレスリリースをご参照お願いします。

製品の特性 / 仕様 / サポート

書換え保証

Q 質問 10兆回保証とは、バイト毎に10兆回ですか?それともチップ全体で10兆回ですか?

A 回答 チップ全体での10兆回ではなく、バイト毎の10兆回保証です。例えば、異なるアドレスを読み書きする場合は、それぞれ独立したアドレス毎に10兆回のアクセスを保証できます。

Q 質問 書換え保証が10兆回ならば、読出しだけならば無限大で読出しできるのですか?

A 回答 いいえ、無限大ではありません。書込みと読出しの合計が最大書換え保証値になります。

Q 質問 なぜ、読出しもカウントされるのですか?

A 回答 FRAMは読出し動作時に読み出したデータを自動的に再度書き込みますので、書き込み回数がカウントされます。

データリテンション

Q 質問 他社のデータリテンション期間は、20年や35年など、もっと長いです。長期保証は可能ですか?

A 回答 データリテンションの期間は、お客様の使用温度によっても変わります。当社のシリアルインターフェース品は、常に85℃固定で使用した場合に書込みデータを10年間保証します、という規定です。例えば、お客様の使用環境が25℃や60℃など、85℃を下回る温度で使われる場合は10年間以上のデータ保持が計算上可能ですので、詳しくは各製品のデータシートをご確認願います。

その他

Q 質問 FRAMは磁場の影響を受けますか?

A 回答FRAMは強誘電体を用いたメモリです。物質は外部の磁界によって多少影響を受けますが、大きく影響するのはFe, Co, Ni, Crなどの強磁性体や反強磁性体などです。FRAMはこのような物質を使っていませんので、原理的には外部の磁界の影響は受けません。一方で、FRAM以外で磁性を利用したメモリが市販されていますが、それらのメモリは外部の磁場から強く影響を受けるようです。
Ferroelectricの "ferro-" はもともと鉄(Fe)を意味していましたが、強磁性(ferromagnetism)からの類推として名づけられたもので、通常では磁性とは関係がありません。

Q 質問 FRAMのシミュレーションモデル(IBIS)はありますか?

A 回答 ご要望の際は、当社営業部門またはFRAMウェブサイトの 問い合わせフォーム経由でお問い合わせください。

Q 質問 FRAMには専用のメモリコントローラが必要ですか?

A 回答 FRAM専用のコントローラや専用のマイコンを使わなければいけない、ということはありません。汎用メモリを使う場合と同様に、汎用のコントローラやマイコンでも使用できます。

Q 質問 「低消費電力」とありますが、どのくらい低いのですか?

A 回答 SPIインターフェースのFRAMとEEPROMにおいて、256Byteの書込み電力の比較では、 FRAMはEEPROMの約30分の1の電力になります。

Q 質問 FRAMは結晶構造に鉛(Pb)が含まれていますが、RoHS指令に抵触しませんか?

A 回答 抵触しません。鉛(Pb)の含有量は1,000ppm以下ですので、RoHS指令に適合しています。

Q 質問 パッケージはSOPだけですか?今後パッケージタイプを増やす予定は?

A 回答 シリアル品では、ほとんどの製品でSOPパッケージを揃えています。さらに、ウェアラブルデバイス用に小型パッケージを要求するお客様向けに、SONまたはWL-CSPなど約3mm×2mmサイズの超小型パッケージの製品も提供中です。
パラレル品では、すべての品種でTSOPパッケージを揃えており、さらに256Kビット品はSOPもあります。パッケージについてのご質問は、当社営業部門またはFRAMウェブサイトの 問い合わせフォーム経由でお問い合わせください。

Q 質問 チップやウエハー供給はできませんか?

A 回答 ご要望の際は、当社営業部門またはFRAMウェブサイトの 問い合わせフォーム経由でお問い合わせください。

FRAMのサンプル請求・資料請求・お問い合わせ

サンプル/資料請求
評価用サンプルのご請求、データシート、
カタログなど資料のご請求はこちら

お問い合わせ
技術的なご質問、価格見積もり、納期、
お打ち合わせの依頼など、全般的なご質問はこちら

GTM-MMQ934