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埋め込み不揮発性メモリ(eNVM)ソリューション

当社はIDMメーカー(*)として蓄積したメモリ開発の知識と経験を活かし、お客様の要望に合わせた幅広い埋め込み不揮発性メモリ(eNVM)ラインナップを提供します。
*IDM (Integrated Device Manufacturer)
半導体の設計から製造まで自社で行う垂直統合型メーカー。

埋め込み不揮発性メモリ(eNVM)ラインナップ

High Density NVM High End NVM Middle Range NVM Low End NVM

High Density NVM

不揮発性メモリ「NRAM® (注1)」ベースのテクノロジを紹介します。

注1:NRAMは、Nantero, Inc.の登録商標です。

NRAM®(Next Generation Memory)

特徴

  • ランダムアクセス
  • 低電圧、低消費電力書き換え
  • 高い書き換え耐性、高温でのリテンション耐性

用途

  • ウェアラブル、IoT
  • 車載(高温用途)、EEPROM置き換え

カーボンナノチューブを使った不揮発性メモリ「NRAM」のライセンス供与
および商品化に向けた共同開発で合意

High End NVM

ESF3(注2)および、FLOTOX(FLOating gate Tunnel OXide)による当社のテクノロジーソリューションを紹介します。

注2: ESF3は、SST社の製品名です。
SuperFlash®は、SST社の登録商標です。
This product uses SuperFlash® technology licensed from Silicon Storage Technology, Inc.
SuperFlash® is a registered trademark of Silicon Storage Technology, Inc.

ESF3/FLOTOX

特徴

  • 40nmテクノロジでは、市場実績の豊富な高性能、高集積、高信頼性のSST社ESF3を採用
  • 55nmはIDM時代から培われた車載実績の豊富なオリジナルの高信頼性FLOTOX Flashを提供

    「DDCテクノロジとフラッシュメモリの混載に成功」

  • 100MHz以上の高性能と100Kcycのエンデュランス性能を両立、AECQ-100に対応し、Tj150℃の動作を保証

用途

  • 車載、高性能大容量eFlash品

Middle Range NVM

当社のテクノロジーソリュション「Plug-In Flash」を紹介します。

Plug-in Flash (In-House)

特徴

  • Plug-Inのコンセプトにより、既存の設計資産を生かしつつフラッシュメモリの混載が可能
  • プロセス設計、デバイス設計、回路設計を全体最適化することにより、チップコストを最小化
  • 新たに導入した回路技術により、データ読み出し時と、データ書き換え時の消費電力を大幅に削減

用途

  • ウェアラブル IoT,民生マイコン

Low End NVM

不揮発性メモリIPについて、当社のテクノロジソリューションを紹介します。

MTP(Multiple Time Programmable)/OTP(One Time Programmable)

特徴

  • 標準ロジックプロセスにて製造可能なローコスト不揮発性メモリ
  • 3rdベンダーによるIPサポート

用途

  • セキュリティ、トリミングデータの格納、小容量プログラムファイルの格納

サービスに関するお問い合わせ先

シャトルサービスに関するお問い合わせフォーム
当社のシャトルサービスについて、スケジュールの確認および、検討されている方はこちらからお問い合わせください。

当社の技術・サービスに関するお問い合わせフォーム
当社の技術・サービスに関しては、こちらからお問い合わせください。

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