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三重工場沿革

三重工場沿革

三重工場は、ロジック、バイポーラ、メモリの開発試作・量産の拠点として1984年に操業を開始し、30年以上に渡って、富士通および日本の半導体産業の成長に貢献してきました。その歩みを簡単にご紹介します。

1番館創業開始外観写真
1番館操業開始(1984年)

3番館創業開始外観写真
3番館操業開始(1991年)

300mm 2番館創業開始外観写真
300mm第2棟操業開始(2007年)

当工場のあゆみ ~半導体誕生の時代を経て、現在まで~

  富士通全体 三重工場
1950年代
'56年
  • 川崎工場内にトランジスタ工場新設
  • シリコントランジスタ第一号を製品化
 
'57年
  • 国内最大の大型汎用電子計算機FACOM222完成
 
1960年代
'63年
  • シリコン半導体技術を基に、TTLなど電算機向けIC開発に着目
 
'66年
  • 川崎工場に半導体製造クリーンルームが完成(日本初)ICの試作を開始
 
'67年
  • 10月、会津工場開設
  • 11月、音響機器、ダイオードの生産開始
 
'68年
  • 世界初のフルIC電算機FACOM230-60完成
 
1970年代
'70年
  • Ni-Cr薄膜ハイブリットICを開発
  • 福島県会津工場でIC生産を開始
 
'76年
  • コンピュータ用メモリ64Kb/256Kb DRAMの微細加工技術確立
 
'79年
  • CMOSゲートアレイの外販スタート
 
1980年代
'80年
  • 5月、岩手工場開設。翌年、64K-DRAMの生産開始
 
  • 半導体デバイスHEMTの製品化に成功
 
'81年
  • パソコンFM-8に、世界初の64Kb DRAMを搭載
 
'83年
  • 世界初のCMOS 256Kb EPROM発表
 
'84年
  • 10月、若松工場開設。G/A、S/C、リニア等の生産開始
三重工場開設
  • 10月 大容量メモリ・大規模ゲートアレイなどを試作・量産するため、三重工場を開設
  • 150mm(1番館)操業開始
'85年  
  • EPROM製品初出荷
'88年
  • 5月、富士通エイ・エム・ディ・セミコンダクタ(株)設立
  • 10月、米Gresham工場開設。翌年、256K-DRAM、1M-DRAMの生産開始
  • 9月 150mm(2番館)操業開始
1990年代
'91年
  • 11月、英Durham工場開工式。同月、4M-DRAM初出荷
  • 7月 200mm(3番館)操業開始
'92年
  • ガリウムヒ素(GaAs) ICの量産工場設立(世界初)
  • スーパーコンピュータの演算機能をワンチップ化したCMOSのベクトル処理LSIを開発(世界初)
 
'95年
  • 高性能プロセッサSPARC64を開発
  • 三重工場でISO9001(1994年版)認証取得
'96年
  • フッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザーを用いた露光技術の開発。0.13umルールのパターン形成に成功(世界初)
  • 三重工場でISO14001(1996年版)認証取得
'98年  
  • 150mm(2番館)リニューアル(8インチ化)
'99年
  • システムLSIの中核としてVLIWプロセッサ"FR-Vファミリー"を開発
 
2000年代
'00年
  • あきる野テクノロジセンター開設
  • 最先端デバイスの開発、設計、試作の一貫体制を確立
 
'03年
  • 半導体後工程の専業会社「富士通インテグレーテッドマイクロテクノロジ株式会社」(FIM)の設立
 
'04年
  • 米国ラティスセミコンダクター社からFPGA製品の製造を受託
  • ISO14001(1996年版)富士通グループ統合認証取得
  • 三重工場に300mmウェーハ対応の新棟完成(2005年4月より90nmで稼動)
'05年
  • 「マルチギガビットCMOS高速I/O技術の開発と実用化」が第51回大河内記念賞を受賞
  • 基地局と端末機器双方で使用できるWiMAX対応ベースバンドLSI開発(世界初)
  • ISO14001(1996年版)富士通全社統合認証取得
  • 90nmテクノロジーのロジックLSI生産拠点、三重工場300mm第1棟を稼働開始
 
  • 9月 NAS電池導入
'06年
  • ISO14001(2004年版)富士通グループWORLD-WIDE統合認証取得
  • 三重工場に300mmウェーハ対応の第2棟建設(2007年4月より65nmで稼動)
 
  • 9月 モシス社が特許を持つ組み込みメモリ技術である「1T-SRAM(R)」を、65nmLSI製造プロセスでライセンスする契約を締結
'07年  
  • 65nmテクノロジー対応の三重工場300mm第2棟を稼働開始
 
  • 濃厚フッ酸排水から高純度蛍石を生成回収成功
'08年
  • 3月21日、LSI事業を会社分割により分社し、「富士通マイクロエレクトロニクス株式会社」(現 富士通セミコンダクター株式会社)を設立
富士通マイクロエレクトロニクスとして操業開始
 
  • 8月 ISO/TS16949取得
'09年
  • TSMCへの40nmロジックICの製造委託と、28nm以降の最先端技術での協業を発表
 
 
  • 本社を横浜市に移転
2010年代
'10年
  • 4月1日、「富士通セミコンダクター株式会社」へ社名変更
富士通セミコンダクターとして操業開始
  • スーパーコンピュータ「京」半導体チップ製造開始
'11年
  • ARM社と包括的ライセンス契約を締結
  • 設計子会社2社の統合
 
  • 米国SuVoltaの低消費電力CMOS技術「PowerShrink™」のライセンスを富士通セミコンダクターが受け、実用化に向け共同開発を開始
 
'12年
  • 岩手工場を株式会社デンソーに譲渡
  • 富士通インテグレーテッドマイクロテクノロジ株式会社のLSI後工程製造拠点を株式会社ジェイデバイスへ譲渡
  • 放流水監視用に飼育している「めだか」の繁殖に成功
  • 6月 ISO/TS16949第三者認証機関の変更
 
'13年
  • マイコン・アナログ事業をSpansion社(現Cypress社)へ譲渡
 
 
  • 4月 液化天然ガス(LNG)サテライト基地設置
 
  • 9月 DDCトランジスタ採用製品の量産を開始
 
  • 12月 DDCテクノロジーを適用したロジック回路とフラッシュメモリセルとを混載して製造する技術を開発
'14年
  • 米Transphorm, Inc.と窒化ガリウム(GaN)パワーデバイス事業で事業統合
  • ファウンドリ新会社の事業を開始
 
  • 8月、三重工場、会津工場のファウンドリ分社化、および台湾UMC社との40nmテクノロジーライセンス契約締結を発表
  • 12月、三重富士通セミコンダクター(株)設立。台湾UMC社が資本参加

三重富士通セミコンダクターとして操業開始
'15年  
  • 4月 SuVolta社の超低消費電力技術の知的財産権を取得
 
  • 11月 半導体製造ライン(前工程)に旋回流誘引型成層空調を採用
'16年  
  • 4月 Kilopass社と三重富士通セミコンダクターがテクノロジー開発のパートナーシップを発表
 
  • 4月 Deeply Depleted Channel(DDC)によるニア/サブスレッショルド技術でエネルギー消費を低減
 
  • 8月 カーボンナノチューブを使った不揮発性メモリ「NRAM」のライセンス供与および商品化に向けた共同開発で合意
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