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プレスリリース

2015年1月27日
Transphorm, Inc.
トランスフォーム・ジャパン株式会社
富士通セミコンダクター株式会社

Transphormと富士通セミコンダクター、TransphormのGaNパワーデバイス製品の量産開始を発表

~CMOSプロセス互換工場での生産により拡大する需要に対応~

[米国カリフォルニア州Goleta、および横浜市発、2015年1月27日]
Transphorm Inc.、トランスフォーム・ジャパン株式会社および富士通セミコンダクター株式会社は本日、福島県会津若松市の富士通セミコンダクターグループのCMOSプロセス互換150mmウェハー製造ラインにおいて、電源用窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスの量産を開始したことを発表します。会津若松の大規模製造ラインは、車載製品向け品質基準に準拠し、現在、TransphormのGaNパワーデバイス製品のウェハーファウンドリサービスを独占的に受託しています。今回、量産が実現したことで、Transphormは劇的にビジネス規模の拡大をすることが可能になります。今後拡大するGaNパワーデバイス市場のニーズに対し十分な対応が可能になるとともに、さまざまな電力変換装置の小型化と高効率化という新たな流れをもたらします。

Transphormは、最先端のIPポートフォリオをもとに、600VクラスのGaNパワーデバイス製品において実用レベルの信頼性を達成している唯一のメーカーです。2015年1月、Transphorm製品を採用した世界で最初のGaNモジュール搭載PVパワーコンディショナー製品が発表された他、GaNパワーデバイスは、超小型ACアダプターや、PC、サーバー、ネットワーク機器向けの高パワー密度電源装置、さらに高効率モーター制御装置といった、さまざまな用途に適用されます。

2013年、富士通セミコンダクターとTransphormは電源用GaNパワーデバイスの分野で事業統合を実施し、以来、会津若松の会津富士通セミコンダクターウェハーソリューション株式会社が所有するCMOSプロセス互換の150mmウェハー製造ラインにTransphormが確立したJEDEC準拠の製造プロセスを移管し、富士通セミコンダクターの基礎技術と融合させて量産化に向けた改善を実施しました。信頼性の高い製造ラインはあらゆるビジネスの成長において必要不可欠なものであり、両社は会津若松において技術開発を完了し、このたび量産を開始しました。

富士通セミコンダクター 代表取締役社長 岡田晴基のコメント

「今回の量産開始は、GaNパワーデバイスの普及に向けた大きな一歩であるとともに、Transphormと富士通セミコンダクターの強みがうまく融合した証です。今後も富士通セミコンダクターの高品質なものづくりをさらに進化させていくことで、製品の安定した供給を行い、GaNパワーデバイスによる新たな価値を世界中に広げていきたいと思います。」

Transphorm CEO 江坂文秀のコメント

「TransphormのGaNパワーデバイスを会津若松の工場で量産することで、我々はお客様に安定した製品の供給を富士通の実績ある高品質な製造技術のもとに実施することができます。Transphormは引き続き、富士通セミコンダクターとのパートナーシップによるGaNパワーデバイス製品ラインナップの拡充を継続していきます。」

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本件に関するお問い合わせ先

富士通セミコンダクター株式会社
経営戦略室
icon-telephone 電話: 045-755-7009

icon-form  お問い合わせフォーム

トランスフォーム・ジャパン株式会社
icon-telephone 電話: 045-471-1370
ホームページ:http://transphormjapan.com/


プレスリリースに記載された製品の価格、仕様、サービス内容などは発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。あらかじめご了承ください。