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ReRAM(Resistive Random Access Memory: 抵抗変化型メモリ)

 

MB85AS4MTのデータシート

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抵抗変化型メモリReRAM。当社ReRAMは、業界最小クラスの読出し動作時の低消費電力を実現。バッテリー駆動のウェアラブルデバイスや補聴器などの医療機器に最適。

ReRAM の概要

ReRAM(Resistive Random Access Memory)は抵抗変化型メモリとも呼ばれ、電極に挟まれた金属酸化膜の抵抗値の違いによって、データを記憶する不揮発性メモリです。
金属酸化膜に電圧を印加することにより抵抗を変化させ、高抵抗と低抵抗の状態の違いによって、“0”と“1”のデータを記録します。
読出し電流は業界最小クラス。さらに読出し耐性は無制限のため読出しメインのアプリケーションに最適です。

ReRAM アプリケーション紹介事例

スマートウォッチ、スマートグラス、補聴器の写真

注目の製品

ReRAM製品

型名
PDFデータシート)
メモリ容量 電源電圧 動作
周波数
動作温度
範囲
読出
電流
読出
回数
パッケージ
MB85AS4MT
JPN (1.14 MB )
4Mbit 1.65~3.6V 5MHz -40~+85℃ 0.2mA 無制限 SOP-8

※ インターフェースは SPI になります。

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