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富士通半導体の歴史

| 沿革| 富士通半導体の歴史 |


1956年

川崎工場内にトランジスタ工場を新設
電電公社の中継機向けにシリコントランジスタの第一号を製品化

1957年

国内最大の大型汎用電子計算機FACOM222完成

1963年

シリコン半導体技術を基に、TTLなど電算機向けIC開発に着目

1966年

川崎工場に、当時の最新設備を完備した日本で初めての半導体製造クリーンルームが完成

1968年

世界初のフルIC電算機FACOM230-60完成

1970年

Ni-Cr薄膜ハイブリットICを開発
福島県会津工場でのIC生産を開始、量産体制が確立

1976年

コンピュータ用メモリ64Kb/256Kb DRAMの微細加工技術確立

1979年

CMOSゲートアレイの外販をスタート
米国に設計・販売会社 Fujitsu Microelectronics Inc. (現 Fujitsu Semiconductor America, Inc)設立

1980年

富士通が動作原理を考案し開発した、半導体デバイスHEMTの製品化に成功
欧州に設計・販売会社 Fujitsu Microelectronics GmbH (現 Fujitsu Semiconductor Europe GmbH)設立

1981年

パソコンFM-8に、世界初の64Kb DRAMを搭載

1983年

世界初のCMOS 256Kb EPROM発表

1986年

シンガポールに設計・販売会社 Fujitsu Microelectronics Asia pte Limited (現 Fujitsu Semiconductor Asia Pte. Ltd.)設立

1992年

世界初のガリひ素ICの量産工場を設立
世界で初めて、スーパーコンピュータの演算機能をワンチップ化したCMOSのベクトル処理LSIを開発

1996年

フッ化アルゴンを用いた露光技術の開発を行い、4Gb DRAM相当で0.13umルールのパターン形成に、世界で初めて成功

1999年

システムLSIの中核としてVLIWプロセッサ"FR-Vファミリー"を開発
韓国に販売会社Fujitsu Microelectronics Korea Limited (現 Fujitsu Semiconductor Korea Limited)設立

2000年

あきる野テクノロジセンター開設
最先端デバイスの開発、設計、試作の一貫体制を確立

2003年

半導体後工程の専業会社「富士通インテグレーテッドマイクロテクノロジ株式会社」(FIM) の設立
中国に販売会社Fujitsu Microelectronics (Shanghai) Co.Limited (現 Fujitsu Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd.)設立

2004年

三重工場に300mmウェーハ対応の新棟完成(2005年4月より90nmで稼動)
米国ラティス様からFPGA製品の製造を受託

2005年

「マルチギガビットCMOS高速I/O技術の開発と実用化」が第51回大河内記念賞を受賞
基地局と端末機器双方で使用できる世界初のWiMAX対応ベースバンドLSIを開発

2006年

三重工場に300mmウェーハ対応の第2棟建設(2007年4月より65nmで稼動)
株式会社アドバンテスト様と株式会社イー・シャトル設立、電子ビームによる直接描画を商品化
アジア地域の強化のためマイコン設計会社West Star Chips社(現 Fujitsu Semiconductor Design(Chengdu) Co. Ltd)を買収

2007年

富士通電子デバイス事業本部の営業部門と富士通デバイス株式会社を統合し、社名を「富士通エレクトロニクス株式会社」に変更

2008年

3月21日、LSI事業を会社分割により分社し、「富士通マイクロエレクトロニクス株式会社」(現 富士通セミコンダクター株式会社)を設立

2008年以降の歴史につきましては、「 沿革」にてご紹介いたします。

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